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目錄:中美合資合肥科晶材料技術有限公司>>晶體產(chǎn)品>>A-Z系列晶體列表>> GaSb晶體基片

GaSb晶體基片
  • GaSb晶體基片
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 合肥市
屬性

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更新時間：2024-10-22 11:40:02瀏覽次數(shù)：1235評價

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銻化鎵（GaSb）晶體基片


產(chǎn)品名稱：銻化鎵(GaSb)晶體基片
技術參數(shù)：

單晶：

GaSb

摻雜：

none；None, high R；Zn；Te；Te, high R

導電類型：

P   P-    P+    N

載流子濃度
cm-3  ：

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位錯密度
cm-2  ：

<103

生長方法及
zui大尺寸 ：

LEC ? 3"

產(chǎn)品規(guī)格：

標準尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 單拋，

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

標準包裝：1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝


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