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貨物所在地：安徽合肥市
更新時(shí)間：2025-01-16 21:00:07
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| 產(chǎn)品名稱： | 氮化鎵(GaN)薄膜 | ||||||||||||||||
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： | 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。 | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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