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觀察會(huì)聚偏振光經(jīng)過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別。
觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)，理解泡克耳斯效應(yīng)的作用機(jī)理。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
晶體的電光效應(yīng)_晶體的電光效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀內(nèi)容：
觀察會(huì)聚偏振光經(jīng)過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別。
觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài)，理解泡克耳斯效應(yīng)的作用機(jī)理。
測(cè)量半波電壓，確定Δn與E的線性關(guān)系，繪出光的調(diào)制曲線。
用正弦電信號(hào)對(duì)晶體進(jìn)行調(diào)制，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光傳輸，理解工作點(diǎn)對(duì)調(diào)制、傳輸過程的影響。
外加音頻信號(hào)，實(shí)驗(yàn)音頻信號(hào)的光傳輸以重現(xiàn)，了解光通訊中信號(hào)外調(diào)制的原理和方法
晶體的電光效應(yīng)_晶體的電光效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀品特點(diǎn)：
采用半導(dǎo)體激光器作為光源（650nm4mW）。
晶體的通光面積為5×5mm2
zui大驅(qū)動(dòng)電壓Vmax≥1600V使現(xiàn)象更加清晰、完整。
可觀察在電場(chǎng)作用下LN晶體由一個(gè)單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。
技術(shù)參數(shù)：
序號(hào) | 型號(hào) | 配置 | 規(guī)格 | 單位 | 數(shù)量 |
1 | JTD-01 | 光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌 | 800mm | 根 | 1 |
2 | JTD-02 | 實(shí)驗(yàn)主機(jī) | zui大驅(qū)動(dòng)電壓Vmax≥1600V | 套 | 1 |
3 | JTD-03 | 二維+LD | 650nm、4mW | 套 | 1 |
4 | JTD-04 | 偏振片架（含偏振片） | 360度可調(diào) | 套 | 2 |
5 | JTD-05 | LN晶體附件 | 三維可調(diào)，通光面積為5×5mm2 | 套 | 1 |
6 | JTD-06 | 二維可調(diào)光電探頭 | 調(diào)整范圍：±2.5mm | 個(gè) | 1 |
7 | JTD-07 | 二維可調(diào)擴(kuò)束鏡 | 40X,調(diào)整范圍：±2.5mm | 套 | 1 |
8 | JTD-08 | 1/4波片 | 360度可調(diào) | 套 | 1 |
9 | JTD-09 | 激光功率指示計(jì) | 3位半數(shù)字表頭。量程：200uW、2mW、20mW、200mW、可調(diào)擋，zui小分辨率0.1uW。 | 臺(tái) | 1 |
10 | JTD-10 | 白屏 | 100*80mm | 個(gè) | 1 |
11 | JTD-11 | 導(dǎo)軌滑塊 | 無(wú) | 個(gè) | 6 |
12 | JTD-12 | 音頻信號(hào)源 | 無(wú) | 個(gè) | 1 |