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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> VSN/AT-680型電容漏電流/緣電阻表
所在地：北京
貨物所在地：北京北京市
更新時(shí)間：2025/1/21 8:27:42
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| 電容漏電流/緣電阻表 型號(hào)：VSN/AT-680 | 貨號(hào)：ZH5325 |
| 產(chǎn)品簡介: 緣電阻表是采用微處理器控制的電容漏電流/緣電阻儀。數(shù)控測試電壓：1V~650V，7量程測試，使漏電流準(zhǔn)確度提高到1%，它可以測試1nA~20mA的電流，zui大325GΩ的緣電阻，zui大顯示位數(shù)9999數(shù)。測試速度可達(dá)55次/秒，依然1999讀數(shù)和5%的準(zhǔn)確度，速測試為自動(dòng)化生產(chǎn)提供了zui方案。 儀器擁有分選功能，分選訊響設(shè)置，還可配備Handler接口，應(yīng)用于自動(dòng)分選系統(tǒng)完成自動(dòng)流水線測試。 通過內(nèi)置的RS232C接口，可以用于遠(yuǎn)程控制和數(shù)據(jù)采集與分析。 計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程控制指令兼容SCPI（Standard Command for Programmable Instrument可程控儀器標(biāo)準(zhǔn)命令集），完成遠(yuǎn)程控制和數(shù)據(jù)采集功能。 規(guī)格: 漏電流和緣電阻雙參數(shù)測試。 zui大讀數(shù)：9999。 漏電流測試范圍：1nA-20mA 漏電流基本準(zhǔn)確度：1% 緣電阻測量范圍：1k-325GΩ（104~3.25x1011Ω） 緣電阻基本準(zhǔn)確度: <1G: 1%，≥1G: 3%，≥10G: 5%。 輸出負(fù)電壓：1.0VDC~650VDC，<100V：電壓步進(jìn)量0.1V，≥100V：電壓步進(jìn)量1V?；緶?zhǔn)確度：1% zui大充電電流：200mA±20mA。 7量程自動(dòng)或手動(dòng)測試。 三檔測試速度：高速55次/秒：讀數(shù)1999，中速15次/秒：讀數(shù)1999 ，慢速3次/秒：讀數(shù)9999。 內(nèi)建定時(shí)器，自定義充電時(shí)間，定時(shí)時(shí)間：0秒~999.9秒。 雙顯示：同時(shí)顯示漏電流、偏差（ΔABS）、相對(duì)偏差（Δ%）和分選輸出結(jié)果（GD/NG）。 性能特征: 高亮度，超清晰四色VFD顯示，多種參數(shù)同時(shí)顯示。 充電測試自動(dòng)切換。 峰值保持功能。 量程開路清零功能。 比較器（分選）功能：內(nèi)置30組記錄，可對(duì)被測件進(jìn)行GD/NG判斷。 比較器輸出：可通過RS232C或選配Handler接口輸出分選結(jié)果。 訊響：可設(shè)置訊響開關(guān)。 訊響和顯示可調(diào)：用戶可以根據(jù)自己需要設(shè)置GD/NG訊響和觸發(fā)方式：內(nèi)部觸發(fā)、手動(dòng)觸發(fā)、外部觸發(fā)和遠(yuǎn)程觸發(fā)。 調(diào)節(jié)顯示亮度。 內(nèi)置RS232C串行接口。 可選Handler接口。 可選腳踏開關(guān)。 應(yīng)用: 電解電容器生產(chǎn)。 電容器檢驗(yàn)。 電子元件、設(shè)備的緣電阻測試。 晶體管漏電流檢測。 介質(zhì)材料和電線電纜的緣電阻測試等。 |  |
北京中慧天誠科技有限公司 - 主營產(chǎn)品： 活性炭裝填密度測定裝置,活塞式柱狀沉積物采樣器,四探針電阻率 ...
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