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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)助力超導(dǎo)材料探索及機(jī)理研究

時(shí)間:2019-5-13閱讀:1298

    高溫銅氧化物的超導(dǎo)電性是凝聚態(tài)物理中的個(gè)重要問(wèn)題。圍繞該研究,目前國(guó)內(nèi)外科學(xué)家在該域已經(jīng)做了大量工作,其中包括研究具有相似結(jié)構(gòu)的替代過(guò)渡金屬氧化物中的三維電子機(jī)制。遺憾的是,在這些類似的化合物中沒(méi)有種呈現(xiàn)超導(dǎo)性。

 

    近期,美國(guó)阿貢實(shí)驗(yàn)室科研人員研究發(fā)現(xiàn)低價(jià)準(zhǔn)二維三層化合物Pr4Ni3O8沒(méi)有出現(xiàn)La4Ni3O8中的電荷條紋序,取而代之的是從而表現(xiàn)出金屬性。X射線吸收光譜表明,金屬Pr4Ni3O8在費(fèi)米能之上的未被占據(jù)態(tài)具有低自旋構(gòu)型,具有明顯的軌道化和明顯的dx2-y2征,這正是銅氧化物超導(dǎo)體的重要點(diǎn)。密度泛函理論計(jì)算也證實(shí)了這結(jié)果,并表明dx2-y2軌道在近Ef能占據(jù)態(tài)中也占主導(dǎo)地位。因此,Pr4Ni3O8屬于空穴摻雜銅氧化物的3d電子機(jī)制,它是迄今為止報(bào)道的接近銅氧化物超導(dǎo)的類似材料之,如果可以實(shí)現(xiàn)電子摻雜則有望在該體系中實(shí)現(xiàn)高溫超導(dǎo)性。相關(guān)結(jié)果發(fā)表在Nature Physics(Volume 13, pages 864–869 (2017), DOI: 10.1038/NPHYS4149)。

 

    該項(xiàng)研究工作所用R4Ni3O10 (R=La,Pr)單晶樣品由德國(guó)SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功制備。其中,La4Ni3O10單晶生長(zhǎng)采用20bar氧壓條件,Pr4Ni3O10單晶生長(zhǎng)采用140bar氧壓條件,O2流速為0.1L/min;R4Ni3O8單晶樣品由R4Ni3O10單晶樣品去除O2獲得。

 

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

 

垂直式雙鏡設(shè)計(jì)

 

加熱區(qū)原理圖

 

    德國(guó)SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐高可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3000℃高溫,高壓力可達(dá)300bar,多種規(guī)格可根據(jù)用戶需求提供選擇,該單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)經(jīng)推出便備受國(guó)內(nèi)廣大同行青睞!目前中國(guó)科學(xué)院物理研究所、中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所、北京師范大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海大學(xué)、南昌大學(xué)以及中山大學(xué)等眾多用戶均選擇了該設(shè)備!   

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