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第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡在杭安裝驗收

時間:2020-3-4閱讀:1257

安裝篇

2020年春節(jié)前夕,通過工程師的安裝調(diào)試和細致的講解培訓,第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡(PSM II)在杭州創(chuàng)新研究院順安裝并完成驗收。該系統(tǒng)是國內(nèi)第二套PSM II,也是國內(nèi)第六套PSM。PSM II將用于塊體和薄膜熱電材料的塞貝克系數(shù)、均勻度檢測與新型熱電材料的研究。這套設(shè)備的投入使用將幫助杭州創(chuàng)新研究院在熱電材料域取得更快的發(fā)展。

 

 

德國工程師Dieter Platzek(中)與用戶老師合影

 

設(shè)備篇

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的款可以精確測量熱電材料Seebeck系數(shù)二維分布的設(shè)備。自推出以來,該設(shè)備獲得多個實驗室的*,已經(jīng)成為快速精準檢測樣品性能的重要手段。后經(jīng)研發(fā)人員的進步升,全新推出的第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡-PSM II具有更高的位置分辨率和測量精度。

 

產(chǎn)品點:

  • 可以精確測量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設(shè)備。

  • 精確的力學傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。

  • 采用鎖相技術(shù),精度超過大型測試設(shè)備。

  • 快速測量、方便使用,可測塊體和薄膜。

 

主要技術(shù)參數(shù):

位置定位精度:單向 0.05μm;雙向 1μm

大掃描區(qū)域:100 mm × 100 mm

測量區(qū)域精度:5μm (與該區(qū)域的熱傳導有關(guān))

信號測量精度:100 nV (采用高精度數(shù)字電壓表)

測量結(jié)果重復性:重復性誤差于3%

塞貝克系數(shù)測量誤差:< 3% (半導體);< 5% (金屬)

電導率測量誤差:< 4%

測量速度:測量個點的時間4~20秒

 

應(yīng)用域:

  • 熱電材料、超導材料、燃料電池、電子陶瓷以及半導體材料的均勻度測量

  • 測量功能梯度材料的梯度

  • 觀察材料退化效應(yīng)

  • 監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移

  • 固體電介質(zhì)材料中的傳導損耗

  • 陰材料的電導率損耗

  • 巨磁阻材料峰值溫度的降低,電阻率的變化

  • 樣品的質(zhì)量監(jiān)控

 

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡-PSM II


 

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