新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐助力哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)及相關(guān)研究

時(shí)間：2019-10-15閱讀：851

Quantum Design公司近期推出了激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)，該系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有更高功率、更均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能，其越的技術(shù)性能將助力同行學(xué)者和家的晶體生長(zhǎng)工作！

浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)技術(shù)因其在晶體生長(zhǎng)過程中具有無需坩堝、樣品腔壓力可控、生長(zhǎng)狀態(tài)便于實(shí)時(shí)觀察等諸多點(diǎn)，目前已被*為是獲取高質(zhì)量、大尺寸單晶的重要手段之。激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備，尤其適合材料（諸如：高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等），以及常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作！

跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢(shì)：

Ø 功率更高，能量密度更大，加熱效率更高

Ø 采用技術(shù)五路激光設(shè)計(jì)，確保熔區(qū)能量分布更加均勻

Ø 更加科學(xué)的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力

Ø 采用了*的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)

新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)：

加熱控制	激光束	5束
	激光功率	2KW
	熔區(qū)高溫：	～3000℃*
	測(cè)溫范圍	900℃～3500℃
	溫度穩(wěn)定性	+/-1℃
晶體生長(zhǎng)控制	大位移距離	150mm*
	晶體生長(zhǎng)大直徑	8mm*
	晶體生長(zhǎng)大速度/轉(zhuǎn)速	300 mm/hour;100rpm
	晶體生長(zhǎng)監(jiān)控	高清攝像頭
	晶體生長(zhǎng)控制	PC控制
其它	占地面積	D140 xW210 x H200 (cm)

具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科學(xué)工程項(xiàng)建設(shè)指揮部暨空間基礎(chǔ)科學(xué)研究中心致力于各種高熔點(diǎn)、易揮發(fā)的超導(dǎo)、磁性、鐵電、熱電等材料的單晶生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)及相關(guān)物性研究，近日，我司再次同院校哈爾濱工業(yè)大學(xué)合作，順完成新代高功率激光浮區(qū)法單晶爐設(shè)備采購(gòu)訂單，推動(dòng)單晶生長(zhǎng)工作邁向更高的臺(tái)階，我們也將如既往，秉承精益求精的研發(fā)、設(shè)計(jì)和加工理念，為用戶提供的技術(shù)和服務(wù)，助力用戶科研事業(yè)更上層樓!

RIKEN（CEMS）設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物圖

采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例：


Sr₂RuO₄	SmB₆

Ba₂Co₂Fe₁₂O₂₂	Y₃Fe₅O₁₂

以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易（北京）有限公司

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