石墨烯是近年來受到廣泛關(guān)注的二維材料，具有*的物理化學性質(zhì)，在信號傳感、物質(zhì)檢測、和能源電池域都有著廣闊的應(yīng)用前景。2016年9月，南開大學許京軍、蔡衛(wèi)老師研究團隊在期刊 2D Materials上公開發(fā)表題為“Tailorable reflection of surface plasmons in defect engineered graphene”的全文文章，通過探討缺陷改變石墨烯光、電、熱性質(zhì)的可能性，提出了對石墨烯納米尺度下的等離子激元性質(zhì)進行操控的思路，為未來納米光電設(shè)備的實現(xiàn)開辟新篇。

(a) NeaSNOM測量原理示意圖 (b)NeaSNOM的AFM成像顯示了石墨烯缺陷處的形貌結(jié)構(gòu) (c)NeaSNOM的納米顯微光學成像展示了該區(qū)域的表面等離子波傳播圖樣

    許京軍、蔡衛(wèi)老師研究團隊設(shè)計了離子束對石墨烯缺陷邊界的操控可行性，并通過AFM等常規(guī)測量手段對這設(shè)想進行了重復驗證。該研究團隊對石墨烯表面等離子波在缺陷邊界的傳播進行了深入研究，通過NeaSNOM提供的可靠等離子激元成像手段，他們近場等離子激元成像圖中觀測到了靠近邊界的明顯干涉條紋。通過典型的石墨烯楔形結(jié)構(gòu)，邊界處的等離子激元的有效散射波通過操控的缺陷得到了大的增強。在缺陷邊界處的等離子激元反射得到清晰觀測，證實了這些缺陷在表面等離子波傳播中散射中心的作用。

不同程度缺陷石墨烯中等離子激元傳播和反射

    在入射激光波長為10.653um下，不同程度缺陷石墨烯中等離子激元傳播和反射的研究。其中，等離子激元*干涉峰值被定義為M，在邊界處衰減比例為0.28，實驗結(jié)果與理論數(shù)值得到了很好的擬合。
    該研究團隊證明了通過引入離子束在石墨烯缺陷邊界處改變等離子激元的反射的結(jié)論，他們認為缺陷可以作為有效的等離子激元傳播散射中心，通過缺陷程度的控制可以實現(xiàn)對等離子激元的操控，這研究結(jié)果有效開創(chuàng)了控制表面等離子波的新篇章。


參考文獻：Luo W, Cai W, Wu W, et al. Tailorable reflection of surface plasmons in defect engineered graphene[J]. 2D Materials, 2016, 3(4): 045001.
本文涉及的研究過程及實驗結(jié)果均以原著作為準。