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atto3DR低溫雙軸旋轉(zhuǎn)臺(tái)將施加在樣品上固定方向的單磁場（垂直或水平方向）*的改變?yōu)槿S矢量磁場。雙旋轉(zhuǎn)軸的應(yīng)用保證了樣品上磁場方向任意變化和靈活性，兼容2’’樣品空間和He氣氛，配備Chip carrier，提供多達(dá)20個(gè)電信號接入。
atto3DR通過水平固定軸的旋轉(zhuǎn)，控制樣品表面與外界磁場的傾角（+/- 90°）；而沿面內(nèi)固定軸的旋轉(zhuǎn)提供了另外+/- 90°的運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)樣品與磁場形成任意相對方向。
atto3DR低溫雙軸旋轉(zhuǎn)臺(tái)產(chǎn)品點(diǎn)：
+ 原位雙軸旋轉(zhuǎn)
+ 集成了Chip carrier接口，提供多達(dá)20個(gè)的樣品電接觸
+ 電阻式解碼器，實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制操作
+ 軟件控制（GUI&LabVIEW）
+ 在三維方向上，樣品均可接受到zui高強(qiáng)度的磁場
+ Plug & Play接口模塊，安裝使用其簡單
+ 通過PC自動(dòng)遠(yuǎn)程控制
應(yīng)用域：
+ 半導(dǎo)體納米器件的量子輸運(yùn)測量
+ 量子Hall效應(yīng)
+ 磁各向異性現(xiàn)象研究與表征
+ 各向異性超導(dǎo)能隙結(jié)構(gòu)研究
+ Josephson結(jié)研究
主要技術(shù)參數(shù)：
Atto3DR模塊外徑尺寸 | 49 mm |
zui大樣品尺寸 | 4.9 mm x 4.9 mm x 1.2 mm |
樣品電接觸數(shù)量 | 20 |
行程（step mode） | +/- 90° for both rotators (reserve: +/-10°) |
典型zui小步長 | 1 m°@300 K, 0.5 m° @ 4K |
zui大速度@300K | approx. 30°/s |
反饋控制 | resistive sensor |
解碼器行程 | 315° (both rotators) |
傳感器精度 | approx. 6 m° |
傳感器重復(fù)性 | approx. 50 m° |
傳感器線性度 | approx. 1 % |
