目錄:科睿設(shè)備有限公司>>鍍膜設(shè)備>> 離子束刻蝕設(shè)備
應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
---|
離子束刻蝕設(shè)備
儀器應(yīng)用:
離子拋光
離子清洗
等離子體灰化
等離子體氧化、氮化
表面改性
反應(yīng)刻蝕
生物醫(yī)藥
傳感器
離子束刻蝕設(shè)備技術(shù)參數(shù):
1,真空系統(tǒng):
尺寸: 72英寸X 50英寸
真空泵:分子泵+機械泵
本底真空:1X10E-7Torr
2, 樣品臺:
樣品大?。?50mm
處理角度:0-180度
旋轉(zhuǎn)速度:0-20RPM
冷卻:水冷
3, 離子源
孔徑:22厘米
柵格:2個,鉬材質(zhì)
激發(fā):RF射頻
電性中和:PBN
束流: 200-1000V, 0-1000mA
工作氣體:Ar,Xe,N2,O2,CF4,SF6,CH4,C2H6
SIMS終點監(jiān)測
主要特點:
RF or DC 離子源, 8-22厘米Gridded Kaufman離子源
單片樣品傳輸腔
高效率高產(chǎn)量,低能量等離子體源
最大直徑至150毫米樣品表面處理
<3% 非均勻性
水冷,傾斜,旋轉(zhuǎn)
操作簡便,小型設(shè)備,皮實耐用
SIMS終點監(jiān)測
全部電腦操作
反應(yīng)離子刻蝕
單片樣品臺/三片行星式旋轉(zhuǎn)樣品臺