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更新時(shí)間:2024-12-09 20:56:10瀏覽次數(shù):2553評(píng)價(jià)
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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有機(jī)分子束沉積鍍膜系統(tǒng)
有機(jī)分子束沉積鍍膜系統(tǒng)
儀器簡(jiǎn)介:
全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商,為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等
技術(shù)參數(shù):
1.蒸鍍?cè)碈ell&電源:
?有機(jī)金屬沉積蒸鍍Cell
--最大溫度: 500℃
--坩堝容積和材料: 2~200 cc and Quartz, Graphite,etc
--包含Shutter and Cooling shroud (選件)
--電源:15A, 20V
--溫度控制: PID control
?金屬沉積蒸鍍Cell
--最大溫度: 1,400℃(up to 1,800 ℃)
--坩堝容積和材料: 2~120 cc and Al2O3, BN, PBN, etc
?包括shutter和Cooling shroud
?電源: 30A, 80V
?溫度控制:ntrol : PID control
2.薄膜沉積控制:
?Cygnus and PC控制
--控制沉積參數(shù)
----多達(dá)6源同時(shí)沉積
--石英晶體振蕩器
----一個(gè), 兩個(gè)或六個(gè)
?膜厚測(cè)量
--石英晶體振蕩器
----一個(gè), 兩個(gè)或六個(gè)
3.真空室:
?圓柱形腔體
--直徑: φ300 ~ 1,000 mm (Substrate : 1 inch to 370 ×400 mm)
-- 高度: 300 ~ 700 mm
?方形腔體
--根據(jù)客戶需求定制
4.真空泵和測(cè)量裝置:
?低真空: 干泵和convectron真空規(guī)
?高真空: 渦輪分子泵,低溫泵和離子規(guī)
?超高真空: 離子泵和離子規(guī)
5.控制系統(tǒng):PLC, PC with Touch Screen
主要特點(diǎn):
擴(kuò)展功能:
?溫度控制器:基底加熱
?He cooling 裝置:基底冷卻
?LN2or CW 冷卻系統(tǒng)
?傳遞單元:樣品傳遞在有機(jī)和金屬處理時(shí)
?帶自動(dòng)樣品遞送裝置的Loadlock樣品加載系統(tǒng)
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)