目錄:科睿設(shè)備有限公司>>超高真空組件>> 磁控濺射靶源-真空組件
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更新時(shí)間：2025-02-27 13:53:52瀏覽次數(shù)：2441評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)(1e-11torr)匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環(huán)境下，可以實(shí)現(xiàn)超高純度的濺射沉積。
磁控濺射靶源-真空組件
應(yīng)用范圍：
金屬沉積；
電介質(zhì)沉積；
復(fù)合物沉積。
技術(shù)參數(shù):
不同型號(hào)濺射源可以選用不同靶材尺寸 .1",2",3" 等各種靶材尺寸均可使用;
靶材厚度薄,低至4mm,節(jié)約靶材;
濺射源法蘭上帶有氣體管道，以便提高操作濺射源時(shí)的真空。
手動(dòng)/馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 擋板
濺射源可設(shè)計(jì)成原位傾斜，傾斜角度(+/-30o)
氣體流量控制
進(jìn)程全自動(dòng)化
真空中可烘烤至250攝氏度;
占用空間小;
冷卻水流量低,僅0.5L/min
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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