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更新時(shí)間:2024-09-16 21:00:06
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產(chǎn)品特性
1. 系統(tǒng)含有兩個(gè)腔體: 真空腔和沉積反應(yīng)腔。有效地防止溫度和真空度的泄漏,保持穩(wěn)定的沉積反應(yīng)條件,成膜均一細(xì)致無漏點(diǎn)。這是其他只有單一腔體設(shè)備所不能達(dá)到的。沉積腔與真空腔分開,沉積腔嵌入真空腔,形成一種保護(hù)套設(shè)備,可有效地防止沉積反應(yīng)過程中沉積腔內(nèi)的溫度和化學(xué)氣體泄漏,從而保證沉積腔內(nèi)的體系穩(wěn)定,不會(huì)有二次的化學(xué)反應(yīng)。保證成膜效果和不損傷設(shè)備。真空腔一般會(huì)用密封膠圈密封,沉積腔處于高溫、真空腔處于室溫,所以密封膠圈在室溫下壽命長、密封效果好,真空腔的真空度不會(huì)泄漏,從而保證成膜質(zhì)量。如果沉積腔與真空腔共用一個(gè)腔體,密封膠圈在高溫下使用,壽命短,時(shí)間一長密封效果不好,真空度會(huì)泄漏,從而成膜質(zhì)量下降。
2. 前軀體化學(xué)品在反應(yīng)腔中流動(dòng)方向類似花傘噴射,垂直沉積于基體上,快速穩(wěn)定,有別于橫流式沉積系統(tǒng)。*的頂端流動(dòng)(showerhead)沉積模式比傳統(tǒng)的橫向流動(dòng)沉積模式在成膜效果(尤其對(duì)多孔,表面積大的粉體或不規(guī)則材料)、沉積時(shí)間、自動(dòng)控制等方面都有很顯著的提高。
3. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)簡單精確地控制薄膜的厚度,形成達(dá)到原子層厚度精度的薄膜??缮?的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜,作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層。前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜,不需要控制反應(yīng)物流量的均一性。可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物。
4.可廣泛適用于各種形狀的襯底。原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,而生長的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢壘。
5. 前驅(qū)體源裝置穩(wěn)定可靠,可以用20年,并不是簡單的源瓶帶個(gè)加熱夾套。沉積腔表面經(jīng)過耐腐蝕處理,能夠適應(yīng)氯化物和氟化物等前驅(qū)體化學(xué)品的強(qiáng)腐蝕,這是其他廠家不具備的。樣品載物臺(tái)升降為氣動(dòng)式控制,具有自鎖功能。樣品沉積過程中可很穩(wěn)定地保持體系環(huán)境(例如濕度對(duì)于一些氮化物沉積就比較敏感),有效地減少環(huán)境波動(dòng)對(duì)沉積效果的影響。系統(tǒng)配置高級(jí)獨(dú)立的軟件,具有自鎖和保護(hù)功能,并不是用簡單的Labview軟件來控制(Labview軟件容易被客戶修改,對(duì)設(shè)備使用來說具有危險(xiǎn)性)。
6.系統(tǒng)還配備*的觸摸屏顯示器,方便操作,已經(jīng)被一些的半導(dǎo)體廠商認(rèn)可并使用(例如IBM) 。我們有30年的研發(fā)和使用經(jīng)驗(yàn),在ALD領(lǐng)域擁有100多項(xiàng)的。
產(chǎn)品規(guī)格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8),300mm (12)可選配
工作溫度: 100—400攝氏度 (500攝氏度可選)
真空腔體尺寸: 250, 320, 400mm
反應(yīng)腔體: 具有大,中,小三種
反應(yīng)腔體材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驅(qū)體源: 2--4種,可為固體/液體/氣體
樣品載臺(tái): 氣動(dòng)式移動(dòng)
ALD的應(yīng)用
半導(dǎo)體領(lǐng)域:
晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層,集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
納米技術(shù)領(lǐng)域:
中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和憎水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結(jié)構(gòu),中空納米管,存儲(chǔ)硅量子點(diǎn)涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內(nèi)部的涂層,納米線的涂層。
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