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貨物所在地：上海上海市
更新時間：2024-11-30 21:00:07
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基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結(jié)合高溫爐（zui高溫度可達(dá)240°C）可保證所有應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達(dá)數(shù)個特斯拉強(qiáng)度的固定或者可變磁場。
基于測量軟件可顯示的視窗內(nèi)容包括I-V 和 I-R 數(shù)據(jù)圖.
系統(tǒng)可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統(tǒng)功能演示
特點(diǎn)
• 載流子濃度
• 電阻率
• 遷移率
• 電導(dǎo)率
• α (水平電阻值/垂直電阻值)
• 霍爾常數(shù)
• 磁致電阻
| 輸入電流: | 500nA 到 10mA (500nA 步長) |
| 霍爾電壓: | 0.5 到 4.5V |
| 極限分辨率: | 65pV |
| 樣品形狀: | 15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可達(dá) 5mm |
| 磁場強(qiáng)度: | 可達(dá) 1T |
| 傳感器: | 液氮溫度到 240°C |
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