半導(dǎo)體分力器件測(cè)試儀報(bào)價(jià)半導(dǎo)體分力器件測(cè)試儀報(bào)價(jià)型號(hào):VV522-CS2935

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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀CS2935

一、產(chǎn)品特點(diǎn)：
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定，具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控，測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國(guó)標(biāo)要求。
二、測(cè)試參數(shù)
1． 二極管
VF、IR、BVR
2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管
VF、IR、BV Z
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場(chǎng)效應(yīng)管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
被測(cè)器件圖形



三、測(cè)試參數(shù)范圍
晶體管

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1－99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0. 10V-50V
50V-1499V
二極管

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
穩(wěn)壓二極管

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端穩(wěn)壓器

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
VO
0.10V-30V
SV
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA
MOSFET

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
VGS(th)
0.10V-30V
gfs
0.1mS-1000S
RDS(on)
10mΩ-100KΩ
VDS(on)
0.10V-50V
IGSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
IDSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)GSS
0.1V-30V
V(BR)DSS
0.1V-1499V
光耦

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
與IR參數(shù)相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V
可控硅

測(cè)試參數(shù)
測(cè)試范圍
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA-1A
IL
10uA-1A
VTM
0.10V-50V
四、技術(shù)指標(biāo)
1、源的指標(biāo)
主極壓流源 (VA)
電壓：

設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)
電流：

測(cè)量范圍
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）
±(244mA+0.5%set)
壓流源 (VB)
電壓：

設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)
電流：

測(cè)量范圍
度
±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A（脈沖）
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A（脈沖）
±(244mA+0.5%set)
高壓源（HV）

設(shè)定范圍（V）
度
0~1500
±(1.22V+1%set)
*1500V時(shí)大輸出為5mA。
2、電壓表的指標(biāo)
測(cè)漏電流

測(cè)量范圍
度
±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)
測(cè)試電壓

設(shè)定范圍（V）
度
±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)
測(cè)擊穿電壓

設(shè)定范圍（V）
度
（0~50）V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
（50~1500）V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)
放大倍數(shù)

設(shè)定范圍（V）
度
1~9999
1%