北京海富達科技有限公司

主營產(chǎn)品: 臭氧檢測儀,環(huán)境檢測儀器,水質(zhì)分析儀/ORP測定儀/溶解氧

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VV522-CS2935半導體分立器件測試儀報價
半導體分立器件測試儀報價
參考價 215000
訂貨量 1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 VV522-CS2935
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 北京市

更新時間:2023-05-18 15:12:50瀏覽次數(shù):1178

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

【簡單介紹】
產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應用領域 化工
半導體分立器件測試儀報價 型號:VV522-CS2935庫號:M398111 查看hh
半導體分立器件測試儀CS2935
一、產(chǎn)品特點:
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定,具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數(shù)據(jù)可存儲打印。
【詳細說明】

半導體分立器件測試儀報價半導體分立器件測試儀報價 型號:VV522-CS2935庫號:M398111   查看hh



半導體分立器件測試儀CS2935


一、產(chǎn)品特點:

測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定,具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控,測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低,在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。

二、測試參數(shù)

1. 二極管

VF、IR、BVR

2. 穩(wěn)壓(齊納)二極管

VF、IR、BV Z

3. 晶體管 Transistor(NPN型/PNP型)

VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON

4. 可控硅整流器(晶閘管)

IGT、VGT、 IH、IL 、VTM

5. 場效應管

IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS



6. 光電耦合器

VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT

*7.三端穩(wěn)壓器

VO、SV、ID、IDV

被測器件圖形




三、測試參數(shù)范圍

晶體管


測試參數(shù)

測試范圍

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1-99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0. 10V-50V

50V-1499V

二極管


測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

50V-1499V

穩(wěn)壓二極管


測試參數(shù)

測試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

三端穩(wěn)壓器


測試參數(shù)

測試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

MOSFET


測試參數(shù)

測試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

光耦


測試參數(shù)

測試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

可控硅


測試參數(shù)

測試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

四、技術指標

1、源的指標

主極壓流源 (VA)

電壓:


設定范圍(V)

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

電流:


測量范圍

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

壓流源 (VB)

電壓:


設定范圍(V)

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

電流:


測量范圍

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

高壓源(HV)


設定范圍(V)

0~1500

±(1.22V+1%set)

*1500V時大輸出為5mA。

2、電壓表的指標

測漏電流


測量范圍

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

測試電壓


設定范圍(V)

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

測擊穿電壓


設定范圍(V)

(0~50)V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

(50~1500)V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

放大倍數(shù)


設定范圍(V)

1~9999

1%




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