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硅光電倍增（SiPM）高靈敏度中子探測(cè)器
SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光電倍增探測(cè)器)是近年來(lái)逐漸興起的一種用于光探測(cè)領(lǐng)域的光電探測(cè)器件。與傳統(tǒng)的PMT(Photo-multiplier tube,光電倍增管)相比,它有著尺寸小、工作電壓低、幾乎不受磁場(chǎng)影響等優(yōu)點(diǎn),但其缺點(diǎn)是對(duì)環(huán)境溫度變化較敏感。為了掌握SiPM性能指標(biāo)隨環(huán)境溫度的變化規(guī)律,搭建了SiPM溫度特性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),通過(guò)改變環(huán)境溫度來(lái)實(shí)時(shí)測(cè)量記錄SiPM的雪崩臨界電壓和增益,從而定量得出SiPM的溫度特性,并通過(guò)理論計(jì)算對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。
簡(jiǎn)單集成化探測(cè)系統(tǒng)
取代過(guò)去He3探測(cè)組件
可擴(kuò)展性能 *性價(jià)
抗沖擊和振動(dòng)，特別適用于惡劣環(huán)境下
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