碳化硅功率器件測試儀

我們專業(yè)致力于功率元器件的測試儀器設(shè)備，主要致力于碳化硅器件的測試儀器設(shè)備。 我們的優(yōu)勢在于能夠深入的進行理論運用到實踐中。技術(shù)能力和實踐能力的結(jié)合，才能在市場上推出使用方便，測試結(jié)果準確的高技術(shù)產(chǎn)品 我們的工程師具有超過20年的大功率半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)計及測試評估的經(jīng)驗 如有任何需求，歡迎與我們聯(lián)系各種電子測試的需求。

全面的測試方案：

雙脈沖測試

· 用于碳化硅二極管

· 和FETs檢測

高壓器件

· 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV

· 及更高

功率器件（包括模塊）

· 電壓可調(diào)至：50 A ( > 500 A )

清晰的開關(guān)波形

· 非常低且非常容易判斷寄生現(xiàn)象

· 包含分析和補償程序

為模具，緊湊型包裝，模塊組件而設(shè)計

· 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模塊

模塊化和前瞻性

· 新包裝和模塊化的可調(diào)諧開關(guān)插頭

高溫測試

· DUT 集成化加熱器- 可調(diào)諧到 250°C

快速

· 快速部署，測試周期 短

標準和具體應(yīng)用

· 集成化或定制柵極驅(qū)動器；寄生現(xiàn)象可調(diào)諧

高性能系統(tǒng)

· 工業(yè)等級設(shè)計及制造

安全

· IEC61010安全標準設(shè)計

技術(shù)規(guī)格

碳化硅功率器件測試儀動態(tài)特性主要針對于是碳化硅技術(shù)中的功率器件的特性，也同樣應(yīng)用于碳化硅技術(shù)的的各種儀器設(shè)備的特性?；谔蓟杓夹g(shù)的半導(dǎo)體功率器件動態(tài)性能測試是我們的核心技術(shù)。隨著碳化硅測試設(shè)備的快速發(fā)展需要對帶寬和寄生原件的測試需求。如：負載感應(yīng)器和直流電等寄生元器件將會成為碳化硅功率器件的使用方案。

功能：描述SiC離散變量的動力學(xué)行為

配置：在相位腿配置的二極管mosfet(或IGBTs)

設(shè)備等級：優(yōu)化的額定電壓600V到4500V

          優(yōu)化額定電流10A到50A

包裝：可與TO220,TO247,TO254包接口的裝置

系統(tǒng)接受其他包的fixture

輸入電壓：230Vac, 50Hz，單相接地保護

輸入電流：8A

保險絲額定值：10A，T，250V

直流電壓范圍：100V to 4500V

開關(guān)電流范圍：10A to 50A

DUT溫度:熱板溫度可調(diào)至200℃