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[供應]DS/RTS-8-數(shù)字式四探針測試儀
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  • DS/RTS-8-數(shù)字式四探針測試儀
貨物所在地:
北京北京市
更新時間:
2021-10-27 17:48:05
有效期:
2021年10月27日 -- 2022年4月28日
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產(chǎn)品簡介

該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的,專用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。

詳細介紹

 測量范圍
 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴展);  
 方塊電阻:10-3~106 Ω/□(可擴展);
 電導率:10-5~104 s/cm;
 電阻:10-4~105 Ω;
可測晶片直徑
 140mmX150mm(配S-2A型測試臺);
 200mmX200mm(配S-2B型測試臺);
 400mmX500mm(配S-2C型測試臺);
恒流源
 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表
 量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
 分辨力:10μV;
 輸入阻抗:>1000MΩ;
 精度:±0.1% ;
 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動顯示;
四探針探頭基本指標
 間距:1±0.01mm;
 針間絕緣電阻:≥1000MΩ;
 機械游移率:≤0.3%;
 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
 探針壓力:5~16 牛頓(總力);
四探針探頭應用參數(shù)
 (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行)
 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機測量zui大相對誤差
(用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標準不確定度
 ≤5%
計算機通訊接口
 并口,高速并行采集數(shù)據(jù),連接電腦使用時采集數(shù)據(jù)到電腦的時間只需要1.5  秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時)。連接電腦使用時帶自動測量功  能,自動選擇適合樣品測試電流量程;
標準使用環(huán)境
 溫度:23±2℃;
 相對濕度:≤65%;
 無高頻干擾;
 無強光直射;

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