西安瑞禧生物科技有限公司

瑞禧供應(yīng)品FeSe2、NiSe2、CoSe2、In2Se3等二維晶體

時間:2021-5-20閱讀:715

晶體結(jié)構(gòu)即晶體的微觀結(jié)構(gòu),是指晶體中實際質(zhì)點(原子、離子或分子)的具體排列情況。自然界存在的固態(tài)物質(zhì)可分為晶體和非晶體兩大類,固態(tài)的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的本質(zhì)差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質(zhì)點是規(guī)則排列的(長程序),而非晶體中這些質(zhì)點除與其相近外,基本上無規(guī)則地堆積在一起(短程序)。金屬及合金在大多數(shù)情況下都以結(jié)晶狀態(tài)使用。晶體結(jié)構(gòu)是決定固態(tài)金屬的物理、化學(xué)和力學(xué)性能的基本因素之一。

 

晶體是各向異性的均勻物體。的晶體,外觀上往往呈現(xiàn)某種對稱性。從微觀來看,組成晶體的原子在空間呈重復(fù)排列。即以晶體中的原子或其集合為基點,在空間中三個不共面的方向上,各按一定的點陣,不斷重復(fù)出現(xiàn)。如從重復(fù)出現(xiàn)的每個基元中各取某一相當點,則這些點合在一起形成一個空間點陣的一部分。確切地說,點陣是一組按連接其中兩點的矢量進行平移后而能復(fù)原的點的重復(fù)排列。

晶體大?。嚎啥ㄖ?br />晶體:Magnetic semiconductor,紅外半導(dǎo)體,拓撲材料,熱電材料
表征方法:EDS,SEM,Raman
bandgap:0.4 eV
規(guī)格:注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
包裝:凈袋真空包裝
傳導(dǎo)類型:N型;半絕緣型
晶體方式: CVT 化學(xué)氣相傳輸法
拋向:單拋或雙拋
可用表面積:> 90%

 

瑞禧生物科研定制二維晶體-BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體、BiSe 晶體、BiTe晶體、Bi單晶 Bi晶體 鉍、CdI2晶體、CdPS3 晶體、Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體、CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、Cr2Ge2Te6  CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體、Cr2S3晶體、Cr2Si2Te6   CrSiTe3 晶體、CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體、CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、CrI3 碘化鉻、CrPS4 晶體 磁性拓撲絕緣體、CrTe2晶體、Cu3SbS3晶體、Cu3Se2晶體、CuBi3PbS6晶體、CuCrP2S6 晶體、CuIn7Se11 晶體、CuInP2S6晶體、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體、HfS2 硫化鉿、HfS3晶體、HfSe2 硒化鉿、HfTe2 碲化鉿晶體、HfTe5晶體、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體、In2P3S9晶體、In2P3Se9 晶體、In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體、InBi晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 (β相)、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體、MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、MoTe2 晶體2H 半導(dǎo)體相、MoVSe4晶體、MoWS4 鉬鎢硫、MoWSe4 (WMoSe4) 鉬鎢硒、Nb2SiTe4晶體、Nb3GeTe6晶體、NbReS4晶體、NbS2(2H) 硫化鈮、NbSe2 二硒化鈮、NbTe2 二碲化鈮  (1g)、NbTe2晶體、NbTe4晶體、Ta2NiS5 晶體、Ta2NiSe5 晶體、TaCo2Te2晶體。

 

來自小編瑞禧YQ2021.5

會員登錄

X

請輸入賬號

請輸入密碼

=

請輸驗證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏!
標簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個,單個標簽最多10個字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我們將在第一時間回復(fù)您~

以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負責(zé),化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責(zé)任。

溫馨提示:為規(guī)避購買風(fēng)險,建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

撥打電話
在線留言