TGA-CdTe量子點

西安瑞禧量子點，提供結(jié)構(gòu)修飾，我公司有的團隊，的產(chǎn)品科研實驗，產(chǎn)量有，提供多種技術(shù)資料。

瑞禧產(chǎn)品列表：

巰基乙酸(TGA)修飾的殼核型CdTe/CdS量子點
TGA-CdTe/CdS QDs
碳化硅SiC量子點熒光材料
PMMA基底CdSe量子點
PbTe/CdTe量子點
透明質(zhì)酸-量子點(HA-QD)
聚己基噻吩/硒化鎘量子點
殼聚糖包覆的CdTe量子點
β-環(huán)糊精修飾的銀量子點
CD環(huán)糊精修飾CdTe量子點
ZnSe/SiO2半導(dǎo)體量子點
殼聚糖-CdSe/CdS/ZnS核殼量子點
TGA-CdTe量子點
CdS/ZnS-CdTe量子點
3-巰基丙酸包覆MPA-Mn/ZnS量子點QDs
InP/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點
PbS/CdS核殼結(jié)構(gòu)熒光量子點
CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)熒光量子點
硫族鉛化合物量子點
II-VI族手性半導(dǎo)體量子點
Zn/ZnS核殼量子點
多壁碳納米管-CdTe量子點復(fù)合材料
氨基修飾碳點(N-CDs)
α-Bi2 O3納米管/氮摻雜碳量子點
AgNPs-CdSe量子點
聚丙烯腈(PAN)負(fù)載碳量子點
MEH-PPV/PbS量子點復(fù)合材料
MO-PPV/ZnSe量子點復(fù)合材料
納米金負(fù)載碳量子點Au@cQDs
AgNPs/N-CDs納米銀負(fù)載碳量子點
石墨烯負(fù)載碳量子點復(fù)合材料
聚對苯乙炔MOPPV-ZnSe量子點復(fù)合材料
氮化碳/二硫化錫量子點復(fù)合材料
金納米星量子點復(fù)合熒光探針
聚四乙烯基吡啶復(fù)合型CdTe量子點
銀/碳量子點(Ag/CDs)復(fù)合材料
木質(zhì)素磺酸鈣-石墨烯復(fù)合量子點
SiO2復(fù)合CsPbI3鈣鈦礦量子點
AgInS2@ZnS量子點
谷胱甘肽@CdTe量子點
Zn3In2S6-CEA量子點熒光探針
三元黃銅礦CuGaS_2量子點
半導(dǎo)體聚合物聚量子點（PFOPdots）
QDs@PEI修飾熒光量子點
ZnO@GQDs核殼結(jié)構(gòu)量子點
CdTe@MPA核殼量子點熒光探針
QDs@MOFs量子點金屬有機框架復(fù)合材料
Ag@CdSe-rGO核殼材料
水溶性CdTe@PVP量子點
正電荷水相AgInS2@PEI量子點
CdTe@MOFs/CdTeQDs/Ab2生物探針
聚多巴胺納米微球負(fù)載石墨烯量子點PDANS@Ag/GQDs
CCG-CdSe石墨烯量子點復(fù)合物
氧化石墨烯-硒化鎘(GO-CdSe)納米復(fù)合材料
InP/ZnS熒光量子點
Cu摻雜的InP@ZnSe+ZnS核殼量子點
無機鈣鈦礦CsPbX3量子點
CdHgTe合金量子點
InP@ZnSeS熒光量子點
InP/ZnSe/ZnS核殼型熒光量子點
ZnSe/InP/ZnS三核殼熒光量子點
CdSe/ZnSe核/殼結(jié)構(gòu)量子點
三辛基氧化膦TOPO包覆CdSe量子點
CdSe-脂質(zhì)體復(fù)合體
脂溶性CdSe/ZnS量子點脂質(zhì)體復(fù)合物
CdSe量子點/聚酰胺-胺樹形分子納米復(fù)合材料
PAMAM@ CdSe量子點復(fù)合材料
修飾脂質(zhì)體包裹CdTe量子點
硫醇配位CdSe/CdS核殼量子點
CdSe量子點修飾物DSPE-PAA
PLLA-SS-PLL 聚乳酸-雙硫鍵-聚賴氨酸
卟啉功能化的量子點QDs
RGD-CdTe多肽修飾量子點
核糖核酸修飾的碲化鎘量子點(CdTe-RQDs)
二氫卟啉e6修飾熒光量子點
BSA-Ce6牛血清白蛋白修飾二氫卟啉
USPIO-cy5.5-cRGD
RGD@BBN-脂質(zhì)體（量子點）
水溶性CuInS2-ZnS-AFP量子點
FA-QDs-FUA納米復(fù)合材料
聚甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯-g-聚乙二醇聚合物(PGMA-g-PEG)
PGMA-PEG-FA
CdSe/Zns核殼量子點修飾FA
DOX阿霉素修飾CdSe/Zns核殼量子點
P3HBP4HB-DOX偶聯(lián)物
多孔道二氧化硅包覆Fe3O4-DOX偶聯(lián)物
InAs/GaAs量子點材料
DOX-Cdots阿霉素修飾碳量子點
巰基乙胺CA-CdTe量子點
銅銦硫(CuInS2)量子點
紅色CdSeS/CdS/ZnS核殼量子點
十二胺功能化石墨烯量子點(PEHA-GQD-DA)
蛋氨酸功能化石墨烯量子點
DOX/GQDs-Gd釓修飾石墨烯量子點載阿霉素
修飾石墨烯量子點
ZnS量子點-BSA納米復(fù)合材料
谷胱甘肽 (GSH)修飾的CdTe/CdS量子點

TGA-CdTe量子點

 ，由于零維量子點材料的量子效應(yīng)，使得InAs/GaAs量子點在量子器件方面的應(yīng)用了大批研究人員的。MOCVD和MBE的使得InAs/GaAs量子點制備量子器件成為可能，由于量子器件的性能主要依賴于量子點的密度、尺寸和均勻性，因此獲得密度并且均勻性好的量子點的MOCVD工藝顯得。為了得到大小*，分布均勻的密度InAs/GaAs量子點。

 西安瑞禧生物供應(yīng)量子點及定制服務(wù)，我們還可以做的化學(xué)修飾和蛋白修飾，、、、、！在線詢問?。╖LF）