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電容-電壓曲線在光伏電池表征中的應(yīng)用

時(shí)間:2022-3-2 閱讀:2125
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1. 簡介

電容測量廣泛用于半導(dǎo)體表征,如光伏(PV)電池。例如,用電容測量來確定摻雜濃度。在EC Lab®和EC Lab®Express軟件中,可以直接繪制電容(直接指無需任何后期處理)。電容可通過所有電化學(xué)阻抗譜(EIS)技術(shù)獲得,即電位EIS(PEIS)、電流EIS(GEIS)、階梯PEIS(SPEIS)、階梯GEIS(SGEIS),“Wait"技術(shù)允許用戶跟蹤Z的模量與時(shí)間的關(guān)系(PEISW技術(shù))。

根據(jù)預(yù)想的模型電路,計(jì)算兩種類型的電容,Cs或Cp。電容Cs對應(yīng)于R+C(串聯(lián))電路的電容,Cp對應(yīng)于R/C(并聯(lián))電路的電容(圖1)。

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圖1 電容曲線的兩種等效電路

本文演示了如何繪制電容與電壓(C-V)曲線。首先,以可變電容器作為實(shí)驗(yàn)?zāi)P拖到y(tǒng),展示了繪制電容的不同選項(xiàng)。討論了電路模型的選擇,并將Z Fit擬合的電容值與該技術(shù)直接可用的電容值進(jìn)行了比較。其次,描述了光伏電池的典型C-V特性。

2. 實(shí)驗(yàn)條件

使用配備超低電流選項(xiàng)的SP-200或SP-300和EC Lab®軟件進(jìn)行研究。對于這兩個(gè)系統(tǒng)(即varia電容器和光伏電池),采用標(biāo)準(zhǔn)的雙電極連接進(jìn)行了研究。

可變電容器的特性如下所述:

? 低壓可變電容雙二極管(NXP的BB201)。

? 在0.5至11V的電壓范圍內(nèi),電容在10至120 pF的范圍內(nèi)。

光伏電池的C-V特性是在一個(gè)由150 W氙燈(由ALX-150電源供電的MOS-200光源)照射的電池上進(jìn)行的。

3. 可變電容器的研究

3.1 R/C或R+C等效電路?

為了在R/C或R+C中選擇合適的等效電路,需要在較寬的頻率范圍(即3 MHz至1 mHz)上進(jìn)行EIS測量。設(shè)置如圖2所示。

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圖2 EIS測量的參數(shù)設(shè)置

EIS測量結(jié)果為半圓(圖3),因此C-V研究考慮R/C模型(Cp變量)。R和C的擬合值分別為70歐姆和145 pF(圖4)。

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圖3 可變電容器的Nyquist圖

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圖4 Z fit過程的數(shù)值

3.2 C-V研究

采用了兩種SPEIS技術(shù)。一個(gè)在7 MHz到1 Hz的頻率范圍內(nèi)(設(shè)置如圖5所示),另一個(gè)在一個(gè)頻率下(設(shè)置與圖5所示類似,fi等于ff)。在323 kHz的頻率下進(jìn)行測量,因?yàn)樵谠擃l率以上,可變電容器的響應(yīng)取決于頻率(圖6)。這些實(shí)驗(yàn)分別命名為SPEIS7MHz 1Hz和SPEIS323kHz。電壓掃描從0 V開始,以200 mV的步長上升到10 V。

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圖5 SPEIS的參數(shù)設(shè)置

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圖6 不同頻率的C-V特性

SPEIS7MHz-1Hz允許用戶使用Zfit工具在不同頻率下擬合電容值C1(頻率選擇窗口如圖7所示)。圖8中的C1與實(shí)驗(yàn)中已經(jīng)計(jì)算的Cp值進(jìn)行了比較。C1和Cp在低電壓下的值約為140 pF,在高電壓下的值約為20 pF。因此,比較表明,用Zfit計(jì)算的C1和直接在EIS技術(shù)中確定的Cp是相同的。

這些值與可變電容器數(shù)據(jù)表中描述的規(guī)格一致。

此外,SPEIS7MHz-1Hz和SPEIS323kHz分別持續(xù)6200秒和150秒。因此,以一個(gè)頻率執(zhí)行SPEIS可以節(jié)省時(shí)間。

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圖7 頻率選擇

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圖8 可變電容器的半對數(shù)C-V曲線

(藍(lán)色-SPEIS323kHz;綠色-SPEIS7MHz-1Hz擬合值;紅色-SPEIS7MHz-1Hz


4. 光伏電池的C-V曲線

對于光伏電池特性,電壓在3-7.5 V之間掃描,信號頻率為100 kHz(圖9)。根據(jù)以前的研究,考慮了R/C模型。所以繪制了Cp vs V曲線(圖10)。

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圖9 光伏電池的C-V曲線參數(shù)設(shè)置

C-V曲線顯示了3個(gè)區(qū)域:

•E<4V:累積區(qū)

•4V<E<6V:耗盡區(qū)

•E>6V:反轉(zhuǎn)區(qū)

可通過以下關(guān)系確定摻雜濃度N:

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其中e是電子電荷(1.60 x 10-19 C),ε0是半導(dǎo)體介電常數(shù)(硅為1.03 x 10-12 F/cm)。A是光伏電池的表面,21 cm2 ,C是電容(F),E是電壓(V)。

由于C~2變量在可用變量列表中也可用(圖1),因此也可以繪制C-2與E的關(guān)系圖。該曲線的斜率引起摻雜濃度。

在這種情況下,斜率(通過線性擬合確定)為3.53 x 1015 F/V,因此摻雜濃度為1.64 x 1014 cm-3。該值與之前給出的值一致。

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圖10 光伏電池的C-V曲線


5. 結(jié)論

本文介紹了如何在不進(jìn)行任何擬合的情況下進(jìn)行電容測量。這有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):

•快速測量,只需一個(gè)頻率即可確定Cp或Cs。不需要完整的EIS光譜。

•無后處理:無需阻抗擬合過程

•EC-Lab的圖形包允許繪制不同類型的圖形,如對數(shù)間距的C與E、C-2與E,甚至更多…

可以通過PEISW技術(shù)跟蹤電容變化,這種技術(shù)對傳感器應(yīng)用也很有意義。




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