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技術(shù)文章

PILATUS4 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

閱讀:532          發(fā)布時(shí)間:2023-8-30

1產(chǎn)特點(diǎn)

       憑借高于95%的量子效率,及其高達(dá)155×162毫米的極大有效面積,PILATUS4 R CdTe探測(cè)器可對(duì)基于從銅(Cu)到銦(In)的任何X射線源的快速數(shù)據(jù)收集。特別是對(duì)于鉬(Mo)、銀(Ag)和銦(In)輻射,PILATUS4 R CdTe的性能優(yōu)于任何配有硅傳感器的HPC探測(cè)器—甚至包括目前擁有最厚的硅傳感器的PILATUS3。

       PILATUS4憑借出色的計(jì)數(shù)率和五探測(cè)器背景噪音的特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了跨越十個(gè)數(shù)量級(jí)的廣泛動(dòng)態(tài)范圍,高達(dá)200Hz的內(nèi)部幀速,進(jìn)一步優(yōu)化了計(jì)數(shù)率校準(zhǔn),從而確保高強(qiáng)度測(cè)量的高度準(zhǔn)確性。此外,PILATUS4還具備四個(gè)能量區(qū)分閾值,為勞厄衍射和光譜成像等應(yīng)用帶來了新的可能。


2、核心優(yōu)勢(shì)
     - 巨大且有效:有效成像面積高達(dá)155×162mm,量子效率超過95%
     - 最大限度的高動(dòng)態(tài)范圍:通過零探測(cè)器背景噪音、計(jì)數(shù)率以及同步讀/寫技術(shù),實(shí)現(xiàn)了最大限度的高動(dòng)態(tài)范圍。

- 多功能性:覆蓋了從銅(Cu)到銦(In)高量子效率;四個(gè)能量區(qū)分閾值適用于多色光應(yīng)用。 


 3、應(yīng)用領(lǐng)域
     - 單晶衍射
     - 小角X射線散射
     - 光譜成像
     - 勞厄衍射 


4、技術(shù)參數(shù): 


PILATUS4   R CdTe

1M

260K

260K-W

有效面積:寬×高   [mm2]

155.0 x 162.0

77.0× 79.5

155.0 x 38.3

像素陣列

1033 x 1080

513 × 530

1033× 255

像素大小 [μm2]

150 x 150

能量范圍 [keV]

8 - 25 (8 - 100)【1】

能量閾值數(shù)量

4

閾值范圍 [keV]

4-30(4-80)【1】

計(jì)數(shù)率 [ph/s/pixel]

5.0 x 106

最大幀頻 [Hz]

10

100

100

讀出時(shí)間【2】 

連續(xù)讀出

傳感器材料

CdTe

傳感器厚度[μm]

1000

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixel(FWHM)

尺寸(WHD)[mm3]

235 x 237 x 372

114 x 133 x 242

192 x 92 x 277

重量 [kg]

15

4.7

5.8

                        【1】可選擇校準(zhǔn)來擴(kuò)展能量范圍

【2】兩次曝光之間的有效死時(shí)間<100ns(最大損失1count/pixel)



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