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ORTEC帶電粒子探測器

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更新時間:2024-01-03 09:10:51瀏覽次數(shù):1446

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產品簡介

應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生    
ORTEC帶電粒子探測器
主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝,其耗盡層厚度從10微米到幾個毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又有諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測器,除應用本身外,在探測器上應從耗盡層厚度、結電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標上綜合權衡

詳細介紹

ORTEC帶電粒子探測器?


1 帶電粒子的測量與探測器的基本類型
 
   。
 
   用于alpha能譜測量的ULTRA和ULTRA-AS探測器采用了表面鈍化和離子注入工藝(即PIPS探測器),該工藝的探測器有諸多優(yōu)點:接觸極更薄,更堅固;低噪聲,對Alpha能譜分辨率好;使用邊緣鈍化技術,可以使樣品離探測器入射窗小到1毫米。而一般的面壘型探測器zui小只能達到2.5毫米。所以該類型探測器的效率要更高;常溫使用,探測器窗可擦拭。
 
   Ultra-AS針對Ultra的區(qū)別或改進是采用了進一步低本底的材料,以專適于在ORTEC Alpha Suite譜儀。
 
   ULTRA-CAM系列則是針對氣溶膠連續(xù)監(jiān)測設計,探測器具有特殊密閉和抗潮性能。
 
   Beta能譜測量的難處在于常溫狀態(tài)下由硅探測器很難獲得良好的分辨率。ORTEC提供以下兩種解決方案:1,Beta-X Si(Li)一體化探測器(包含探頭,冷指前放);2,A和L系列可制冷的厚硅探測器。
 

    ORTEC帶電粒子探測器在核物理實驗中的應用有諸多方面,ORTEC在其探測器類型上都有相應的側重。比如重離子由于其高度電離和短徑跡特性,需要探測器在前接觸級具有強電場,適用的F系列探測器在前接觸級的場強為20,000V/cm。而對帶電粒子的時間譜測量,需要用ULTRA系列或能承受超電壓的強場局部耗盡探測器。
 
 ORTEC帶電粒子探測器

ULTRA與ULTRA-AS系列離子注入硅探測器
 

A系列局部耗盡金硅面壘探測器


B系列全耗盡金硅面壘探測器

C系列環(huán)形局部耗盡金硅面壘探測器

D系列平面全耗盡金硅面壘探測器

F系列局部耗盡重離子金硅面壘探測器

L系列鋰漂移硅(室溫)探測器



?帶電粒子探測器

需要提供以上探測器詳細參數(shù)請致電我公司
 

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