EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

EIGER2 R CdTe 1M X 射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的新發(fā)展和碲化鎘感光像素的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí)， EIGER2 R CdTe 1M 是好的選擇。

EIGER2 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器 

 

1、產(chǎn)品特點(diǎn)：    

      EIGER2 R CdTe 1M X 射線探測(cè)器將混合像素光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的新發(fā)展和碲化鎘感光像素的高量子效率集合在一起。對(duì)于使用高能量 X 射線源或需要雙閾值設(shè)置時(shí)， EIGER2 R CdTe 1M 是好的選擇。

     DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使他們具有高計(jì)數(shù)率能力，可以更好地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室X射線源 所能達(dá)到的高強(qiáng)度。DECTRIS 公司的即時(shí)觸發(fā)的技術(shù)使 EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有好的高計(jì) 數(shù)率能力，可以更快速地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室 X 射線光源所能達(dá)到的高強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe 1M 探測(cè)器具有兩個(gè)能 量閾值，所以與上一代探測(cè)器相比，它在環(huán)境背景下?lián)碛懈偷陌惦娏骱捅尘霸胍簟＿@大大提高了弱信號(hào)和長(zhǎng) 時(shí)間曝光的信噪比，使得它在更短的測(cè)量時(shí)間下就能獲得更好的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與計(jì)數(shù)器連續(xù)讀/寫技術(shù) 相結(jié)合，克服了傳統(tǒng)積分探測(cè)器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問題。此外，感光像素直接將X射線轉(zhuǎn)化為電信號(hào) 配合小到 75μm 的像素尺寸使得探測(cè)器具有更高的空間和角度分辨率。

 

2、核心優(yōu)勢(shì)：

       – 高的量子效率、更短的測(cè)試時(shí)間和更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)

       – 即時(shí)觸發(fā)技術(shù)使得計(jì)數(shù)率大幅度提高

       – 雙能閾值，可用于低背景和高背景的抑制

       – 無讀出噪音和暗電流，確保了好的信噪比

       – 計(jì)數(shù)器具有同時(shí)讀/寫功能，確保了高動(dòng)態(tài)范圍和無飽和的圖像

 

3、應(yīng)用領(lǐng)域：

       - 大分子晶體學(xué)（MX）；

       - 化學(xué)結(jié)晶學(xué)；

       - 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/WAXS）；

       - μCT；

       - 其它；

     

 

4、技術(shù)參數(shù)：

EIGER2 R CdTe	500K	1M	4M
探測(cè)器模塊數(shù)量	1	1 x 2	2 x 4
有效面積：寬x高 [mm2]	77.1 x 38.4	77.1 x 79.7	155.1 X 162.2
像素大小 [μm2]	75 x 75
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)	1 pixel
能量閾值	2
能量范圍[KeV]	8-24.2
閾值范圍[KeV]	4-30
大計(jì)數(shù)率（cps/mm2）	9.8×108
計(jì)數(shù)器深度（bit/threshold）	2×16
采集模式	同時(shí)讀/寫，死區(qū)時(shí)間為零
圖像位深度（bit）	32
可選真空兼容	Yes
冷卻方式	水冷
尺寸（WHD）[mm3]	114 x 92 x 242	114 x 133 x 242	235 x 237 x 372
重量 [kg]	3.7	3.9	15

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