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對壓電薄膜進行表征和控制的兩種工具-激光干涉法
對壓電薄膜進行表征和控制的兩種工具-激光干涉法
華測儀器激光測振儀與鐵電分析儀配合使用
華測儀器提供了兩種工具，能夠在產(chǎn)品開發(fā)和制造過程中對壓電薄膜進行表征和控制。
• 激光干涉法：用于測量d33并評估壓電MEMS的運動。
• e31表征：用于跟蹤薄膜的壓電系數(shù)。
今天我們先講一下激光干涉法：
? 有四個實用的壓電系數(shù):
l d33在平行電極之間施加電壓時，薄膜表面的垂直位移。
l d31在d33激活時，薄膜垂直膨脹時的橫向收縮。
l e33在d33激活時，薄膜頂部表面施加的垂直力。
l e31在d33激活時，薄膜施加的橫向力。
? 在薄膜上只能測量四個壓電系數(shù)中的兩個：
l d33這是一個較小的值，需要激光來分辨。
l d31無法用傳感器觀察到這種運動。
l e33可能可以用原子力顯微鏡（AFM）測量垂直力但難以保證準確性。
l e31薄膜產(chǎn)生的橫向力會使懸臂彎曲，其運動可以通過激光或光子傳感器觀察到。
物理限制
l 被測設備的物理尺寸限制了必須使用的傳感器類型。
l 光子傳感器的光斑直徑通常在 0.3mm 到 3mm 之間。
l 只有大型平面結構可以用光子傳感器測量。
l 光子傳感器價格低廉。
l 壓電MEMS中的運動結構通常太小，無法用光子傳感器觀察到。
l 激光的光斑尺寸可以小至 2 μm，因此可以分辨樣品的微小區(qū)域。
l 激光比光子傳感器更昂貴。
計量工具
光子傳感器適合測量精確的大面積平均薄膜系數(shù)。
激光多普勒測振儀（LDV）憑借其小光斑尺寸，適合原位測量生產(chǎn)中的壓電MEMS設備。
? 兩者的結合使用:
• 光子傳感器測量工藝監(jiān)控晶圓上的薄膜e31系數(shù)。
• 激光直接測量監(jiān)控晶圓上夾緊電容器的d33系數(shù)。
• 使用測量的e31和d33值預測制造中設備的性能。
• 激光直接測量壓電MEMS的運動，與模型值的偏差表明工藝問題。
一、激光干涉法
l 華測儀器激光測振儀與鐵電分析儀的配合使用。
l 鐵電分析儀和壓電MEMS測試儀使用 18 位 ADC，具有 76 µV/位的分辨率，單次測量的噪聲底限為 ~300µV。
l 通過 16 次平均可以達到單比特 ADC 分辨率。
l 結合激光測振儀，這些測試儀可以達到 0.2 ? （0.02nm）的 d?? 活塞運動分辨率。
l 測光測振儀最小光斑直徑為 2 μm。
激光干涉法
l 測振儀測量460μm寬、580μm長的懸臂。
壓電MEMS測量
l 懸臂頂端的雙蝴蝶環(huán)，由 1Hz/20V的周邊平行板電容器驅動，32,000個點。
蝴蝶運動
l 激光測振儀可以看到夾緊薄膜的活塞運動。
d33與激光測振儀