超低頻率介電常數(shù)測(cè)試儀中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。 ◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～105

超低頻率介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試。

2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，

2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。

頻率范圍：20Hz～1MHz 數(shù)字合成，

精度：±0.02%

電容測(cè)量范圍：0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯

電容測(cè)量基本誤差：±0.05%

損耗因素D值范圍：0.00001～9.99999 六位數(shù)顯

介電常數(shù)測(cè)試裝置（含保護(hù)電極）：精密介電常數(shù)測(cè)試裝置提供測(cè)試電極，能對(duì)直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣測(cè)量。

它針對(duì)不同試樣可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和非接觸法三種，以適應(yīng)軟材料，表面不平整和薄膜試樣測(cè)試。

2.4.1 微分頭分辨率：10μm

2.4.2 zui高耐壓：±42Vp（AC+DC）

2.4.3 電纜長(zhǎng)度設(shè)置：1m

2.4.4 zui高使用頻率：30MHz

標(biāo)簽：電壓擊穿試驗(yàn)儀介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀耐電壓強(qiáng)度擊穿試驗(yàn)儀絕緣電阻體積表面電阻率測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀絕緣電氣強(qiáng)度試驗(yàn)儀高壓漏電起痕試驗(yàn)儀

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