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[供應(yīng)]GDAT-A-高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀主要技術(shù)指標：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀工作特性
- 平板電容器
極片尺寸：φ25.4mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm
- 園筒電容器
電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF
長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
3. 夾具插頭間距：25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時）
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀工作原理
本測試裝置是由二只測微電容器組成，平板電容器一般用來夾持被測樣品，園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀使用方法
- 被測樣品的準備
被測樣品要求為園形，直徑25.4～27mm，這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1～5mm之間，如太薄或太厚則測試精度就會下降，樣品要盡可能平直。
下面推薦一種能提高測試精確性的方法：準備二片厚0.05mm的園形錫膜，直徑和平板電容器極片*，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排除接觸面之間殘余空氣，把錫膜再粘在平板電容器兩個極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳，然后放上被測樣品。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測試儀裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
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