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[供應(yīng)]介電常數(shù)測(cè)試儀器
產(chǎn)地:北京市海淀區(qū)
更新時(shí)間:2024-09-27 21:00:07
有效期:2024年9月27日 -- 2025年3月27日
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它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程:“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz,測(cè)試信號(hào)。
◎ 低至20nH殘余電感,保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置,能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。
2 主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍:1kHz~70MHz,數(shù)字合成,可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié),五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測(cè)量范圍:1~1000四位數(shù)顯,分辨率0.1Q。分100、316、999三檔,量程可自動(dòng)切換。
2.3 Q值固有誤差:±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測(cè)量范圍:0.1µH~1000mH。
2.5 電感測(cè)量誤差:≤5%±0.02µH
2.6 調(diào)諧電容特性:
2.6.1可調(diào)電容范圍:40pF~500 pF。
2.6.2 精確度:±1% 或0.5pF。
2.6.3微調(diào)電容器:-3pF~0~+3pF,分辨率:0.2pF
2.6.4殘余電感值:約30nH。
2.7 Q預(yù)置功能:Q預(yù)置范圍:1~1000均可。被測(cè)件達(dá)到預(yù)置值后有“GO”顯示和蜂鳴聲提示。不合格件則顯示“NO GO”。
2.8 外形尺寸及重量:415×180×170(mm),6.5kg。
BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置(數(shù)顯)
BH916D介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類(lèi)Q表及電感器配用,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過(guò)公式計(jì)算得到。同樣,由平板電容器的刻度讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。
1工作特性
1.1 平板電容器:
1.1.1 極片尺寸:
c類(lèi)-38:Φ38mm.
c類(lèi)-50:Φ50mm.
1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:
≥8mm, ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距:
25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
≤2.5×10-4
附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz 50MHz 233211 0.9 0.125μH
標(biāo)簽:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀
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