CVD工藝的技術(shù)特征在于：

　　（1）高熔點物質(zhì)能夠在低溫下合成;

　?。?）析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種;

　?。?）不僅可以在基片上進(jìn)行涂層，而且可以在粉體表面涂層等等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn)，作為一種新技術(shù)是大有前途的。

　　例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發(fā)展。

　　CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進(jìn)行氣相反應(yīng);另一種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解。

　　CVD的裝置，由氣化部分、載氣精練部分、反應(yīng)部分和排除氣體處理部分所構(gòu)成。目前，我公司正在開發(fā)批量生產(chǎn)的新裝置。

　　CVD是在含有原料氣體、通過反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進(jìn)行的，因而，當(dāng)被覆涂層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴(kuò)散層，該層的存在，對于涂層的致密度有很大影響。這樣，由許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層雖然存在，但其析出過程是復(fù)雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。

　　作為新的CVD技術(shù)，有以下幾種：

　　（1）采用流動層的CVD;

　?。?）流體床;

　?。?）熱解射流;

　?。?）等離子體CVD;

　　（5）真空CVD，等。

　　應(yīng)用流動層，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應(yīng)用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進(jìn)一步擴(kuò)大。