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當(dāng)前位置:東莞市皓天試驗(yàn)設(shè)備有限公司>>技術(shù)文章>>GJB150高低溫試驗(yàn)的詳細(xì)說明
GJB150(《軍工裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法》)是中國(guó)國(guó)家軍工標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了軍工設(shè)備在高低溫環(huán)境下的適應(yīng)性測(cè)試方法,驗(yàn)證設(shè)備在溫度條件下的工作性能和可靠性。
適用對(duì)象:軍工電子設(shè)備、機(jī)械部件、系統(tǒng)等。
核心目標(biāo):模擬裝備在儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用過程中可能遭遇的溫度環(huán)境,確保其在溫度下功能正常。
根據(jù)GJB150,高低溫試驗(yàn)分為以下兩類:
試驗(yàn)類型:
高溫工作試驗(yàn):設(shè)備在高溫環(huán)境下通電運(yùn)行。
高溫貯存試驗(yàn):設(shè)備在高溫環(huán)境下斷電存放。
溫度范圍:
一般要求:+70℃(可根據(jù)裝備實(shí)際使用環(huán)境調(diào)整,如沙漠地區(qū)可能要求更高)。
持續(xù)時(shí)間:
工作試驗(yàn):至少2小時(shí)(或直至溫度穩(wěn)定)。
貯存試驗(yàn):24小時(shí)或更長(zhǎng)(根據(jù)裝備需求)。
試驗(yàn)類型:
低溫工作試驗(yàn):設(shè)備在低溫環(huán)境下通電運(yùn)行。
低溫貯存試驗(yàn):設(shè)備在低溫環(huán)境下斷電存放。
溫度范圍:
一般要求:-55℃(寒區(qū)裝備可能要求更低溫,如-65℃)。
持續(xù)時(shí)間:
工作試驗(yàn):至少2小時(shí)(或直至溫度穩(wěn)定)。
貯存試驗(yàn):24小時(shí)或更長(zhǎng)。
設(shè)備在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件(溫度25℃±5℃,濕度50%±20%)下放置24小時(shí),確保初始狀態(tài)穩(wěn)定。
記錄設(shè)備外觀、電氣性能、機(jī)械功能等基線數(shù)據(jù)。
高溫試驗(yàn)步驟:
以**≤3℃/min**的速率升溫至目標(biāo)溫度(如+70℃)。
保持溫度穩(wěn)定,進(jìn)行通電運(yùn)行或貯存。
監(jiān)測(cè)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)(如功耗、信號(hào)輸出、機(jī)械動(dòng)作)。
低溫試驗(yàn)步驟:
以**≤3℃/min**的速率降溫至目標(biāo)溫度(如-55℃)。
保持溫度穩(wěn)定,進(jìn)行通電運(yùn)行或貯存。
監(jiān)測(cè)設(shè)備是否出現(xiàn)凍結(jié)、材料脆化等問題。
在試驗(yàn)過程中記錄設(shè)備的關(guān)鍵性能參數(shù)(如電壓、通信信號(hào))。
將設(shè)備從試驗(yàn)箱中取出,在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)1~2小時(shí)(避免冷凝水影響檢測(cè))。
檢查設(shè)備外觀、功能是否正常,對(duì)比初始數(shù)據(jù)判斷是否合格。
高低溫試驗(yàn)箱:
溫度范圍:至少覆蓋**-70℃至+150℃**。
均勻性:試驗(yàn)區(qū)域內(nèi)溫度偏差≤±2℃。
控制精度:±1℃。
監(jiān)測(cè)儀器:
溫度傳感器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、電壓/電流表等。
功能正常:設(shè)備在試驗(yàn)中和試驗(yàn)后能按設(shè)計(jì)要求運(yùn)行。
外觀無損傷:外殼無變形、裂紋,涂層無脫落。
性能參數(shù)符合要求:電氣指標(biāo)、機(jī)械精度等均在允許范圍內(nèi)。
溫度變化速率:需嚴(yán)格控制在≤3℃/min,避免熱沖擊導(dǎo)致材料失效。
設(shè)備狀態(tài):
工作試驗(yàn)時(shí)需模擬實(shí)際負(fù)載(如最大功耗狀態(tài))。
貯存試驗(yàn)需斷電并密封(防止冷凝水進(jìn)入)。
傳感器布置:溫度探頭應(yīng)貼近設(shè)備關(guān)鍵發(fā)熱或敏感部位(如芯片、電池)。
溫度適應(yīng)性:
高溫試驗(yàn)需注意散熱設(shè)計(jì)是否合理(避免過熱保護(hù)失效)。
低溫試驗(yàn)需驗(yàn)證潤(rùn)滑劑、塑料件等材料的耐寒性。
軍工車輛電子系統(tǒng)
機(jī)載/艦載設(shè)備
制導(dǎo)系統(tǒng)
野戰(zhàn)通信設(shè)備
材料問題:塑料件低溫脆化、橡膠密封圈高溫老化。
電路設(shè)計(jì)缺陷:元器件溫度漂移超出容限。
結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不足:外殼熱膨脹/收縮導(dǎo)致縫隙滲水或開裂。
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