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誰知道等離子去膠機(jī)的原理？

閱讀：3950 發(fā)布時間：2021-7-22

等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應(yīng)系統(tǒng)中，通入少量氧氣，加1500 V高壓，由高頻信號發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號，使石英管內(nèi)形成強(qiáng)的電磁場，使氧氣電離，形成氧離子、活化的氧原子、氧分子和電子等混合物的等離子體的輝光柱?；罨酰ɑ顫姷脑討B(tài)氧）可以迅速地將聚酰亞胺膜氧化成為可揮發(fā)性氣體，被機(jī)械泵抽走，這樣就把硅片上的聚酰亞胺膜去除了。等離子去膠的優(yōu)點是去膠操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔、無劃痕、成本低、環(huán)保.

電介質(zhì)等離子體刻蝕設(shè)備一般使用電容耦合等離子體平行板反應(yīng)器。在平行電極反應(yīng)器中，反應(yīng)離子刻蝕腔體采用了陰極面積小，陽極面積大的不對稱設(shè)計，被刻蝕物是被置于面積較小的電極上。在射頻電源所產(chǎn)生的熱運動作用下帶負(fù)電的自由電子因質(zhì)量小、運動速度快，很快到達(dá)陰極；而正離子則由于質(zhì)量大，速度慢不能在相同的時間內(nèi)到達(dá)陰極, 從而使陰極附近形成了帶負(fù)電的鞘層。正離子在鞘層的加速下，垂直轟擊硅片表面，加快表面的化學(xué)反應(yīng)及反應(yīng)生成物的脫離，導(dǎo)致很高的刻蝕速率。離子轟擊也使各向異性刻蝕得以實現(xiàn)等離子體去膠的原理和等離子體刻蝕的原理是一致的。不同的是反應(yīng)氣體的種類和等離子體的激發(fā)方式。

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