高溫樣品固定裝置ProboStat技術(shù)參數(shù)：

總體設(shè)計(jì)：封閉套管一端固定在裝置上，套管外徑為40mm，長為30-1500px

樣品：    直徑為10-24mm的盤狀樣品，長為25-50mm棒狀樣品

電極數(shù)量：2、3或4   溫度：典型長時(shí)間加熱：<1400℃     短時(shí)間加熱：<1600℃

氣體氛圍：氧化、惰性、還原、腐蝕； 潮濕或干燥；   低真空 10-2mbar到1個(gè)大氣壓（封閉的鋼管中為25bar）支持單氣室或雙氣室模式。

高級配置(Extensively furnished version)

l 不同直徑的盤狀樣品；

l 2-，3-，4 -電極設(shè)置；

l 4-點(diǎn)van der Pauw測量（用于測量任意形狀樣品的電阻率）；

l 棒狀樣品（4-點(diǎn)測量和Seebeck系數(shù)測量）；

l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量；

l   濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)配置(Normal version)

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設(shè)置；

l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量；

l   濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)增強(qiáng)配置(Normal plus version)

l 包括常規(guī)配置和額外的備用消耗部件；

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設(shè)置；

l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量；

l   濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

常規(guī)高電壓配置(High voltage normal version)

l 包括常規(guī)配置，但基座單元替換為高電壓（10kV）配置；

l 介電材料極化、故障測試、等離子體電極學(xué)等、使用2-電極設(shè)置；

l 特定直徑（如12或20mm）的盤狀樣品；

l 2-、3-電極設(shè)置；

l 電導(dǎo)率、阻抗譜、DC測量；

l   濃差電池、遷移數(shù)、透過率、燃料電池測試等。

高溫樣品固定裝置迷你配置(Minimum version)

包括基座單元和一些核心部件，如樣品支撐管、套管和彈簧支撐。根據(jù)需要用到的試驗(yàn)方法，熱電偶和電極連接需要額外購買或用戶自己組裝。

基座單元系統(tǒng)(Base unit system)

僅包括基座單元和少量插座，供接入電池內(nèi)部設(shè)備，用于保護(hù)用戶自有的配件和接頭不被劃傷。也適用于已有一套或多套設(shè)備的用戶zui大化利用各個(gè)配件來提高測量效率。

定制系統(tǒng)(Custom system)

如果以上配置方案不符合您的需求，我們可以根據(jù)您的需求為您推薦定制一套系統(tǒng)。歡迎垂詢。