（1）VPD 溶液的分析

氣相分解- 電感耦合等離子體質譜聯(lián)用（VPD-ICP-MS）法，具有業(yè)界所需的檢測限和穩(wěn)定性，測試結果快速可靠，廣泛應用于硅晶片的測試，硅晶片的純度一般要求在99.9999999%以上。

純度要求如此之高，這就到了ICP-MS 大顯身手的時候了！

VPD 樣品中含有高含量的酸和硅基體，并且目標檢測元素的含量通常也非常低，由于基體溶液會產(chǎn)生大量的多原子離子干擾（如表一所示），所以說VPD 溶液的測試是挑戰(zhàn)性的。為了得到更加的結果，干擾的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反應池等技術。

（2）半導體級異丙醇的分析

異丙醇（IPA）用清洗硅片的溶劑時，會與硅片表面直接接觸，因此，必須控制其痕量金屬雜質濃度。采用靈敏高的ICP-MS 技術直接分析IPA 可為IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由樣品制備引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 結合了三重四極桿和冷等離子體技術，該高度靈活的方法實現(xiàn)了半導體行業(yè)分析所需的超痕量背景等效濃度（BEC）和檢測限（LOD）。

校正數(shù)據(jù)

圖 4 顯示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲線。采用校正標準品在 ng·L-1 級水平范圍內測得的校正曲線呈現(xiàn)出優(yōu)異的線性和靈敏度。通過三重四極桿模式和冷等離子體得到改善的干擾去除可實現(xiàn)更具挑戰(zhàn)性分析物的低背景噪聲。

2、RoHS 解決方案

賽默飛為RoHS指令中的有害物質多溴聯(lián)苯、多溴二苯醚阻燃劑、鄰苯二甲酸酯和多環(huán)芳烴等有害物質的測定提供加速溶劑萃?。ˋSE）前處理、氣相色譜（GC）、氣相色譜- 質譜聯(lián)用儀（GC-MS）和液相色譜儀（HPLC）等檢測技術，并提供原子吸收光譜儀（AAS）、電感耦合等離子發(fā)射光譜儀（ICP-OES）、電感耦合等離子體- 質譜儀（ICP-MS）和離子色譜儀（IC）用于測定鎘、鉛和汞，分離并測定六價鉻。具體詳情可參考《RoHS 指令檢測產(chǎn)品及技術——色譜質譜及光譜儀綜合解決方案》或與我們聯(lián)系。