2.微組裝工藝流程

Ｔ／Ｒ組件包含的基本功能模塊主要有：電調衰減器、低噪聲放大器、Ｔ／Ｒ開關、固態(tài)功率放大器、驅動放大器、數字孩相器、限幅器、環(huán)流器、移相器等等。雖然各基本功能模塊的名字不同、主要功能不同，但從工藝角度出發(fā)，構成各模塊的元器件、零部件、材料等大同小異，決定了它們的組裝工藝流程也類似。

微組裝主要工藝流程如下圖所示，主耍工序有等離子清洗、芯片導電膠粘接、芯片共晶焊接、巧片真空燒結、金絲鍵合，可根據各模塊的具體情況作適當調整，其中芯片共晶焊接、金絲鍵合是關鍵工序，芯片導電膠粘接是特殊控制過程，且在研究初期均未能得到很好的控制。微組裝金絲鍵合芯片封裝前微波等離子清洗機

3. 等離子清洗技術介紹

物質常見的三種狀態(tài)是固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)，如果給與氣態(tài)物質更多的能量，就會產生等離子體，等離子體包括電子、離子、光子、自由基和中性粒子。上世紀60年代，為了減少濕法清洗的污染及成本，等離子清洗技術開始起源。在高分子、光學、半導體、測量等領域，隨著技術的快速發(fā)展，等離子清洗已得到廣泛的應用。

與濕法清洗相比，等離子清洗的優(yōu)勢主要體現在以下幾個方面；

１）清洗過程只需幾分鐘即可完成，清洗時等離子可滲透到物體細小的角落并完成清洗任務，因此清洗效率高；

２）經過等離子清洗后被清洗器件己經很干燥，無需再進行干燥處理。

３）清洗時產生的氣體及汽化的污垢被排出，在器件上無殘留物；

４）可清洗不同的基材，使用材料范圍廣；

５）節(jié)省廢物處理費用。

4. 等離子清洗原理介紹

等離子清洗設各的工作原理是在真空狀態(tài)下，利用微波能量供給裝置產生的高壓交變電場將工藝腔室內的氧、氣、氨等工藝氣體震蕩形成具有高能量和高反應活性的等離子體，活性等離子體與微顆粒污染物或有機污染物發(fā)生物理轟擊或化學反應，使被清洗表面物質變成粒子和揮發(fā)性氣態(tài)物質，然后隨工作氣流經過抽真空排出，從而達到清潔、活化表面的目的。

等離子清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的＂活化作用＂達到去除物體表面污漬的目的，根據清洗機理不同可分為物理清洗和化學清洗。微組裝金絲鍵合芯片封裝前微波等離子清洗機采用的是2.45Ghz微波等離子源，其主要應用清洗機理就是化學清洗。

以化學清洗為主的微波等離子清洗有以下幾個優(yōu)點：

①無害處理過程，偏置電壓；

②快速反應，*電子密度；

③無電極的等離子發(fā)生方式，零維護；

④無UV紫外光線產生。

5. 等離子清洗工藝研究

在微組裝中，等離子清洗是一個非常重要的環(huán)節(jié)，它直接影響到所組裝功能模塊的質量，等離子清洗工藝在微組裝工藝中主要應用在以下兩個方面。

①點導電膠前：基板上的污染物會導致基板浸潤性差，點膠后不利于膠液平鋪，膠液呈圓球狀。使用等離子清洗可以使基板表面浸潤性大大提高，有利于導電膠平鋪及芯片粘貼，提高芯片粘接強度。

②引線鍵合前：芯片粘貼到基板上后，經過高溫固化，其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等，這些污染物使引線與芯片或基板么間枯附性差，造成鍵合強度不夠。在引線鍵合前進行等離子清洗，會顯著提高其表面活性，從而提高引線鍵合強度。

6. 等離子清洗工藝試驗

微組裝中等離子清洗對象主要有芯片鍵合區(qū)、基板語盤、引線框架、陶瓷基片等。本試驗選用基板進行清洗，基板焊盤表面誕銀、已氧化，采用微波等離子清洗機對基板進斤清洗試驗，選用氮氫混合氣體作為清洗工藝氣體，在清洗過程中氫等離子體能夠有效地去除基板焊盤上的氧化物。通過試驗，有效地控制清洗時的壓力、功率、時間及氣體流量等工藝參數，能夠獲得良好的清洗效果。