PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場樣品桿，該產(chǎn)品是原位透射電子顯微鏡實驗系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個可控的多場環(huán)境（包括力、熱、光、電等），從而對材料或者器件等樣品實現(xiàn)多重激勵下的原位表征。

• 性能指標

透射電鏡指標：

△ 兼容電鏡型號及極靴；

△ 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

電學測量指標：

△ 包含一個電流電壓測試單元；

△ 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

△ 電流分辨率：優(yōu)于100 fA；

△ 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

△ 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

△ 粗調(diào)范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

△ 細調(diào)范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

△ 細調(diào)分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

△ 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統(tǒng)真空指標；

△ 可選光纖探針、平頭光纖；

△ 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標：

△ 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

△ 溫度準確度優(yōu)于 5% ；

△ 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃。

• 應用場景

可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加至多四種激勵，實現(xiàn)多種復雜的測試功能，完成以往無法實現(xiàn)的研究。

△ 高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學STM探針）；

△ 熱電子發(fā)射/場發(fā)射（加熱芯片+電學STM探針）；

△ 三端器件測量（電學芯片+電學STM探針）；

△ 電致發(fā)光現(xiàn)象研究（電學芯片+光學STM探針）；

△ 光電現(xiàn)象研究（電學芯片+光學STM探針）。

• 產(chǎn)品特色

△ 穩(wěn)定性高

輕松獲得大幅度運動中的高分辨像，適用于更廣泛的應用場景和樣品體系。

△ 超低維護成本

設備配套的針尖制備系統(tǒng)可低成本制備針尖耗材。"爪-球“微動結(jié)構(gòu)已實現(xiàn)模塊化量產(chǎn)，維護成本低。

△ 龐大的用戶群

在國內(nèi)擁有近200個高質(zhì)量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產(chǎn)出大量高質(zhì)量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術(shù)平臺供用戶交流。

△ 成熟的技術(shù)支持網(wǎng)絡

在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司，其他各地擁有若干技術(shù)支持網(wǎng)點，24小時提供技術(shù)支持