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C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備
  • C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備
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貨物所在地:北京北京市

更新時間:2024-11-05 10:28:13

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C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備被廣泛應用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、以及聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。它的高級找平機構(gòu)使其適用于各種材料的曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等。雙面對準單面曝光:這臺機器具備雙面對準單面曝光功能,可以在一個工藝中對準并曝光兩側(cè),提高了生產(chǎn)效率。普通光刻機工作:除了雙面對準單面曝光,它還可以執(zhí)行普通光刻機的各種工作任務。

C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備

C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備主要用途:

C-33型光刻機被廣泛應用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、以及聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。它的高級找平機構(gòu)使其適用于各種材料的曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等。

雙面對準單面曝光:這臺機器具備雙面對準單面曝光功能,可以在一個工藝中對準并曝光兩側(cè),提高了生產(chǎn)效率。

普通光刻機工作:除了雙面對準單面曝光,它還可以執(zhí)行普通光刻機的各種工作任務。

雙面對準精度檢查:此外,它還充當了一個檢查雙面對準精度的檢查儀,確保產(chǎn)品的高質(zhì)量和精確度。


C-33型 國產(chǎn)雙面光刻機 精密光刻設備主要性能指標:

高均勻性LED曝光頭:

光強:不超過20毫瓦

曝光面積:100毫米×100毫米

曝光不均勻性:不超過3%

曝光強度:可調(diào)至不低于30毫瓦/平方厘米

紫外光束角度:不超過3度

紫外光中心波長:365納米、404納米、435納米可選擇

紫外光源壽命:不低于2萬小時

電子快門精準控制

對準精度:1微米

曝光精度:1微米

套刻精度:1微米

觀察系統(tǒng):

采用上下各兩個單筒顯微鏡,每個上裝有四個CCD攝像頭,通過視屏線連接到計算機和液晶顯示屏。

單筒顯微鏡可連續(xù)變倍,范圍從0.7倍至4.5倍。

CCD攝像機靶面對角線尺寸:1/3英寸,6毫米。

使用19英寸液晶監(jiān)視器,數(shù)字放大倍率最高可達57倍。

觀察系統(tǒng)的放大倍數(shù)范圍:最小40倍,最大256倍,或者介于91倍至570倍之間。

右側(cè)板上設有一個視屏轉(zhuǎn)換開關(guān),向左為下面兩個CCD,向右為上面兩個CCD。

計算機硬件和軟件系統(tǒng):

鼠標單擊“開始對準"按鈕,可以將監(jiān)視屏上的圖形記錄下來,并將其處理為透明的,以便對新進圖形進行對準。

鼠標雙擊左側(cè)或右側(cè)的圖形,可以分別在整個屏幕上顯示左側(cè)或右側(cè)的圖形。

特殊的板架裝置:

該裝置可以裝入152×152的板架,并對版進行真空吸附。

裝置安裝在機座上,能夠圍繞點A進行翻轉(zhuǎn)運動,相對于承片臺進行上下翻轉(zhuǎn)運動,以便對上下版和上下片進行操作。

該裝置可以反復翻轉(zhuǎn),回到承片臺上的平面位置,重復精度不超過±1.5微米。

此裝置具有補償基片楔形誤差的功能,確保上下版平面與上下片平面緊密接觸,提高曝光質(zhì)量。

承片臺調(diào)整裝置:

配備Φ75和Φ100兩種承片臺,每個承片臺都有兩個長方形孔,下面的兩個CCD可以通過這些孔觀察到板或片的下平面。

承片臺可以進行X、Y、Z和θ運動,X、Y、Z的運動范圍為正負5毫米,θ運動范圍為正負5度。

承片臺密著環(huán)可以實現(xiàn)“真空密著",真空密著力可調(diào),分為硬接觸、軟接觸和微力接觸。



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