優(yōu)勢

ULVAC-PHI 最新設計的四極桿-二次離子質譜儀ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基礎上，改善了離子光學系統，是在一次離子能量低至250eV時，仍保持有效的濺射束流的動態(tài)二次離子質譜系統（D-SIMS）。

特點

1. 大束流低能量離子槍設計，極大的提高了深度分辨率

2. 高性能離子光學系統，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

3. 高精度全自動5軸樣品操控臺

4. 不同方向進入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測

應用實例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素?？梢钥吹紿檢測限值7.1X10¹⁶ atm/cm³，O檢測限值4.4X10¹⁵ atm/cm³，C檢測限值2.0X10¹⁵ atm/cm³。