無(wú)需濺射刻蝕的深度探索

下一代透明發(fā)光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(diǎn)(QDs)，結(jié)合使用XPS(A1 Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對(duì)同一微觀特征區(qū)域進(jìn)行分析，可以對(duì) QDs 進(jìn)行詳細(xì)的深度結(jié)構(gòu)分析。XPS 和HAXPES 的結(jié)合使用，可以對(duì)納米顆粒進(jìn)行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。

深層界面的分析

在兩種x射線源中，只有 Cr Ka XPS 能探測(cè)到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學(xué)態(tài)。另外，通過(guò)比較，光電子起飛角 90°和30°的 Cr Ka譜圖結(jié)果發(fā)現(xiàn)在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時(shí)，氧化物的強(qiáng)度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。

內(nèi)核電子的探測(cè)

Cr Ka 提供了額外的 Al Ka 不能獲取的內(nèi)核電子基于 Cr Ka 的高能光電子，通常有多個(gè)額外的躍遷可用于分析。

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機(jī)器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。

用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進(jìn)功能材料都是復(fù)雜的多組分材料，其研發(fā)依賴(lài)于化學(xué)結(jié)構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI，Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動(dòng)多功能掃描聚焦X射線光電子能譜儀，具有優(yōu)秀性能、高自動(dòng)化和靈活的擴(kuò)展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺(tái)在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用