光刻：

    通過(guò)光刻將光刻版上的圖形印刷到Wafer上，首先要在Wafer上涂上一層感光膠，在需要開(kāi)口的地方進(jìn)行高強(qiáng)平行光線(xiàn)曝光（紫外線(xiàn)），讓光線(xiàn)通過(guò)，然后在經(jīng)過(guò)顯影，將開(kāi)口處的膠去掉，這樣就可以得到我們所需要的CD開(kāi)口。所謂的CD（Critical-Dimensions）【臨界尺寸】也即光刻的開(kāi)口。

光刻工序中的曝光和顯影類(lèi)似照相的工藝原理。

曝光方式有三種

• 接觸式曝光:解晰度好,但掩膜版易被污染   
• 接近式曝光:解晰度降低,但掩膜版不易被污染 
• 投影式曝光:解晰度好,并且掩膜版不易被污染 

在Bumping生產(chǎn)中,一般采用接近式曝光和投影式曝光兩種方式.

正膠版與光刻膠的關(guān)系：

光刻版出現(xiàn)的白區(qū)，透過(guò)光照后，與膠發(fā)生光學(xué)反應(yīng)，再通過(guò)感光膠的反應(yīng)（顯影液），得到所需要的CD開(kāi)口區(qū)。

負(fù)膠版與光刻膠的關(guān)系：

光刻版出現(xiàn)的黑區(qū)與正膠版相反，透過(guò)光的區(qū)域不會(huì)被顯影掉，未透光的區(qū)域與膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)（顯影液），將需要的光刻膠留在Wafer表面，

負(fù)膠的作用：一般用來(lái)對(duì)芯片起表面保護(hù)作用、壓點(diǎn)轉(zhuǎn)移、重新布線(xiàn)開(kāi)口。

針對(duì)Bump與Bump之間間距很小或開(kāi)口尺寸要求放大或縮小時(shí)