數(shù)字式四探針測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀

型號DL10-8

DL10-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

DL10-8型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。

儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。

儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。

本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

技　術(shù)　指　標：

測量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm（可擴展）；

方塊電阻：10-3～106Ω/□（可擴展）；

電導(dǎo)率：10-5～104s/cm；

電阻：10-4～105Ω；

可測晶片直徑140mmX150mm（配S-2A型測試臺）；

200mmX200mm（配S-2B型測試臺）；

400mmX500mm（配S-2C型測試臺）；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　

分辨力：10μV；

輸入阻抗：>1000MΩ；

精度：±0.1%；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標間距：1±0.01mm；

針間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機械游移率：≤0.3%；

探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；

探針壓力：5～16牛頓（總力）；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)（見探頭附帶的合格證）

模擬電阻測量相對誤差

（按JJG508-87進行）0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機測量zui大相對誤差（用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±5%

整機測量標準不確定度≤5%

計算機通訊接口并口

標準使用環(huán)境溫度：23±2℃；

相對濕度：≤65%；

無高頻干擾；

無強光直射；

  ：