| 注冊(cè)| 產(chǎn)品展廳| 收藏該商鋪

行業(yè)產(chǎn)品

當(dāng)前位置:
北京新興日祥科技發(fā)展有限公司>>技術(shù)文章>>無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)|環(huán)陣相控陣探頭螺栓檢測(cè)

無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)|環(huán)陣相控陣探頭螺栓檢測(cè)

閱讀:1030        發(fā)布時(shí)間:2022-4-26
  • 環(huán)陣相控陣

  • 探頭螺栓檢測(cè)

  • ◆ 讓社會(huì)生產(chǎn)更安全,更可靠,更高效 ◆

螺栓的作用?

螺栓:機(jī)械零件,配用螺母的圓柱形帶螺紋的緊固件。由頭部和螺桿(帶有外螺紋的圓柱體)兩部分組成的一類(lèi)緊固件,需與螺母配合,用于緊固連接兩個(gè)帶有通孔的零件。這種連接形式稱(chēng)螺栓連接。如把螺母從螺栓上旋下,又可以使這兩個(gè)零件分開(kāi),故螺栓連接是屬于可拆卸連接。

在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域大量使用螺栓進(jìn)行緊固連接,包括橋梁、風(fēng)電、高鐵等許多關(guān)鍵部件的連接。其中還有一些是帶中心孔的螺栓,而這些帶中心孔的螺栓檢測(cè)成為螺栓檢測(cè)中的難題。

螺栓在整個(gè)社會(huì)生產(chǎn)中起到非常重要的作用,應(yīng)用于各行各業(yè),所以螺栓的檢測(cè)也是社會(huì)生產(chǎn)中的重要環(huán)節(jié)。

本課題嘗試通過(guò)環(huán)陣相控陣探頭對(duì)螺栓進(jìn)行裂紋檢測(cè),從而解決了中心孔對(duì)檢測(cè)的影響。

實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>

通過(guò)本實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證環(huán)陣相控陣探頭是否能夠檢測(cè)螺栓類(lèi)零件中的缺陷。

實(shí)驗(yàn)方法

主機(jī):Omniscan X3Main Frame: Omniscan X3

探頭:5D26-12-64Probe: 5D26-12-64

試塊:螺栓試塊帶刻槽缺陷,刻槽位置為距螺帽表面 20mm(在螺帽與螺桿交界處),80mm,140mm,刻槽深度 1mm。


無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)|環(huán)陣相控陣探頭螺栓檢測(cè)


實(shí)驗(yàn)結(jié)果

3.1 使用環(huán)陣探頭+相控陣線(xiàn)掃的檢測(cè)結(jié)果

先看激發(fā) 8 個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果,其中 20mm 處螺帽與螺桿交界處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下。

缺陷深度: 21.89mm。


80mm 處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下,缺陷位置深度 78.89mm。


140mm 處的刻槽缺陷檢測(cè)結(jié)果如下,缺陷位置深度 138.17mm。


其他條件不變,改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至 4 個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下,較淺的 20mm 和 80mm缺陷較清晰,但 140mm 處的缺陷信號(hào)比較弱。


改變一次激發(fā)晶片數(shù)量至2個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下,此時(shí)幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)140mm處的缺陷信號(hào)。


而如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至 16 個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下,140mm 處的缺陷信號(hào)更加清晰,但由于晶片環(huán)形排列,16 晶片跨越的弧度較大,無(wú)法有效形成聚焦,因而信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。這與線(xiàn)陣探頭的信號(hào)成像規(guī)律剛好相反。


如果增加一次激發(fā)晶片數(shù)量至 32 個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果如下,此時(shí)由于 32 晶片跨越了一半的晶片寬度,也就是整個(gè)半個(gè)圓弧的晶片都被激發(fā),此時(shí)由于這 32 個(gè)晶片不在一條水平線(xiàn)上直線(xiàn)排列,而是半圓弧型排列,聲束無(wú)法聚焦,信號(hào)變形嚴(yán)重,也幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn) 140mm 處的缺陷信號(hào)。


實(shí)驗(yàn)小結(jié)

1.檢測(cè)結(jié)果

由上面的線(xiàn)掃檢測(cè)結(jié)果可知,當(dāng)使用 8 個(gè)晶片進(jìn)行螺栓檢測(cè)時(shí)可以得到相對(duì)更好的檢測(cè)結(jié)果,而使用更少的晶片激發(fā)時(shí),由于激發(fā)晶片過(guò)少,聲束穿透能力降低,檢測(cè)更深的缺陷的能力變?nèi)?;而使用更多的晶片激發(fā)時(shí),由于激發(fā)晶片增加,導(dǎo)致晶片由于不在一條直線(xiàn)上而造成聚焦能力反而降低,信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。

2.使用全聚焦的檢測(cè)結(jié)果

使用全聚焦技術(shù)同樣可以發(fā)現(xiàn)這些刻槽缺陷,且深度和位置與實(shí)際一致,缺陷信噪比較好。


但由于該試塊是不帶中心孔的螺栓試塊,所以需要考慮如果檢測(cè)帶中心孔的試塊可能對(duì)全聚焦聲束合成造成的影響。

2.使用線(xiàn)陣探頭扇掃的檢測(cè)結(jié)果

使用全聚焦技術(shù)同樣可以發(fā)現(xiàn)這些刻槽缺使用線(xiàn)陣探頭,并使用扇掃同樣可以發(fā)現(xiàn)這些缺陷,但如果要發(fā)現(xiàn) 20mm 位置的螺帽與螺桿交界處的刻槽,則需要使用楔塊以增大進(jìn)入螺栓的入射角,且該刻槽缺陷與螺帽的邊緣底面信號(hào)很接近,比較難分辨。


如果想檢測(cè) 80mm 和 140mm 位置的缺陷,則需要使用不帶楔塊的方式,以避免由于楔塊的固有回波影響檢測(cè)結(jié)果。

實(shí)驗(yàn)總結(jié)

1 檢測(cè)方法比較

(1) 使用環(huán)陣探頭+線(xiàn)掃方式,可以有效檢測(cè)出試塊上的缺陷。針對(duì)此環(huán)陣探頭,使用 8個(gè)晶片激發(fā)可以得到*化的檢測(cè)效果。

(2) 使用環(huán)陣探頭+全聚焦方式,同樣可以有效檢測(cè)出試塊上的缺陷,且其信噪比較高。

(3) 使用線(xiàn)陣探頭+扇掃方式,可以檢測(cè)出試塊上的三個(gè)缺陷,但對(duì)于 20mm 位置的缺陷 需要使用楔塊,而對(duì)于 80mm 和 140mm 的缺陷需要卸掉楔塊,也就是說(shuō)需要二次檢測(cè)。同時(shí)需要旋轉(zhuǎn)探頭以覆蓋 360°方向上的所有缺陷。

2.環(huán)陣探頭相比于線(xiàn)陣探頭的優(yōu)勢(shì):

(1) 環(huán)陣探頭無(wú)需旋轉(zhuǎn)即可發(fā)現(xiàn)所有角度上的缺陷,而線(xiàn)陣探頭需要旋轉(zhuǎn)至少 180°才能發(fā)現(xiàn)所有角度上的缺陷。

(2) 環(huán)陣探頭無(wú)需使用楔塊即可發(fā)現(xiàn)近表面的螺帽與螺桿連接區(qū)域的缺陷,而線(xiàn)陣探頭需要使用楔塊來(lái)增大偏轉(zhuǎn)角度才能發(fā)現(xiàn)此處的缺陷。

(3) 環(huán)陣探頭可以檢測(cè)中間帶孔的螺栓,而線(xiàn)陣探頭檢測(cè)中間帶孔的螺栓信號(hào)會(huì)受到阻擋,而導(dǎo)致不可檢。

產(chǎn)品特點(diǎn)



2.OmniScan X3全聚焦相控陣

OmniScan X3探傷儀所提供的功能有助于用戶(hù)高效地完成檢測(cè)工作。這些功能可以在以下應(yīng)用中大顯身手:焊縫檢測(cè)、管線(xiàn)和管道的檢測(cè)、耐腐蝕合金的檢測(cè)、腐蝕成像、高溫氫致缺陷(HTHA)的檢測(cè)、初期裂紋的探測(cè)、復(fù)合材料的檢測(cè)和缺陷成像。


主要特性:

  • 顯示超微細(xì)節(jié)的TFM(全聚焦方式圖像 ,全聚焦方式(TFM)包絡(luò)處理功能,高達(dá)1024X1024的網(wǎng)絡(luò)分辨率。

  • 探測(cè)到早期的高溫氫致(HTHA)缺陷

  • 提前確認(rèn)覆蓋區(qū)域可以最多顯示4個(gè)不同角度的TFM模式圖像,便于解讀缺陷和定量缺陷

  • 提升效率和創(chuàng)新特性,單獨(dú)的衍射時(shí)差(TOFD)菜單,800%的高波福范圍,減少了重 新掃描的需要

  • 與現(xiàn)有文件和設(shè)置相兼容

  • 迅速地投入到檢測(cè)工作中

  • 具備應(yīng)對(duì)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的能力,最大25GB的 文件容量

  • 符合IP65評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),防雨防塵


收藏該商鋪

請(qǐng) 登錄 后再收藏

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
二維碼 意見(jiàn)反饋
在線(xiàn)留言