硅光電二極管

Silicon Photodiodes

UV 增強(qiáng)型、藍(lán)光增強(qiáng)型以及正常響應(yīng)型可選

有效區(qū)大小從 <1 至 100mm²

提供提供 C 接口和 S 接口安裝解決方案

通過(guò)光電效應(yīng)，探測(cè)器提供了一個(gè)將光能轉(zhuǎn)化成電能的工具。基本原理基于探測(cè)器中的電子帶和導(dǎo)電帶之間存在一個(gè)微小的能量差。當(dāng)具有足夠能量的、可以激發(fā)一個(gè)電子從電子帶轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電帶的光照被探測(cè)器接收，會(huì)在這個(gè)電子的帶領(lǐng)下產(chǎn)生電子聚集效應(yīng)，在一個(gè)外部環(huán)路形成電流。由于光照不是激發(fā)電子的唯y能量來(lái)源，探測(cè)器中會(huì)有一部分電流并非光電轉(zhuǎn)換而來(lái)。例如，熱能的波動(dòng)很容易被錯(cuò)認(rèn)為光強(qiáng)變化。還有多種這類“非光”作用存在，加總起來(lái)形成探測(cè)器的噪音值。

總的信號(hào)值和噪音的比值就是*的信噪比（S/N），應(yīng)用在需要考慮到噪音值的應(yīng)用中。當(dāng)噪音成為描述探測(cè)器的關(guān)鍵值，在選擇探測(cè)器時(shí)這就是唯y一個(gè)應(yīng)該考慮的特性。

硅光電二極管不同工作模式：

光伏（無(wú)偏壓）：光伏模式下，光敏二極管沒(méi)有外部偏壓。 由于暗電流是偏壓幅值的一個(gè)產(chǎn)物，PV模式不會(huì)將暗電流作為一個(gè)噪音源。在這種情況下，NEP將更低，因此在低波長(zhǎng)段會(huì)有更好的靈敏度。這對(duì)低信號(hào)探測(cè)很理想。而它的一個(gè)缺點(diǎn)是對(duì)較長(zhǎng)波段的響應(yīng)有略微下降。

光電導(dǎo)（偏壓）：光電導(dǎo)模式下，光敏二極管中存在一個(gè)反向偏壓能帶來(lái)很多好處，例如更快的信號(hào)上升時(shí)間。這使得這種工作模式在高頻應(yīng)用中更穩(wěn)定。一個(gè)不便的方面在于暗電流隨偏壓的電流使用而增加，在系統(tǒng)中帶入了噪音。