巧用哈氏槽試驗調(diào)整光亮酸性鍍銅電鍍液
    該鍍種鍍液成分簡單，但卻是很難維護好的鍍種。筆者考慮生產(chǎn)成本，一直采用國產(chǎn)新型光亮劑，并不斷對其配比、光亮劑組分加以完善改進。采用“中酸、中銅"工藝裝飾性電鍍，調(diào)整得當(dāng)時，哈氏槽試片1A攪拌鍍5min，試片能達到全光亮且具有較好整平性，生產(chǎn)中允許DK可達/dm2。電源應(yīng)是低紋波的。
1 銅含量判定
    光亮酸性鍍銅，應(yīng)有足夠的陰極濃差極化，才能有好的分散能力和寬的光亮范圍，硫酸銅的含量以150g/L～170g/L為宜。
1.1 2A靜鍍3min，應(yīng)有1cm左右燒焦。用細玻棒在試片表面大約1s來回攪拌一次，則無燒焦，銅含量基本正常。冬季氣溫低時，攪拌情況下允許約3mm左右燒焦。
1.2 若2A靜鍍無燒焦，則銅含量過高，應(yīng)稀釋鍍液，補加硫酸和開缸劑。液溫低于10℃時，鍍液中銅含量過高，陽極溶解不良，陽極極化過大，銅陽極還易鈍化。
1.3 若靜鍍燒焦大于1.5cm，則銅含量不足，應(yīng)試驗補加硫酸銅至燒焦約1cm。
2 硫酸含量判定
    新配鍍液時，硫酸以50L～60L為宜。過多，光亮整平性差；過少，電導(dǎo)率低，低DK區(qū)光亮范圍變窄，陽極易鈍化，在正常鍍液作哈氏槽試驗時，應(yīng)對所用電源及直流導(dǎo)線，記錄不同液溫時電流與電壓的對應(yīng)數(shù)據(jù)，以便作為日后的判斷依據(jù)。
2.1 使用相同的小整流電源(應(yīng)是低紋波的)和相同截面與長度的直流輸出線(保證電壓降基本一致)，若電壓高于正常值0.3V以上，則可能硫酸偏少，補加3mL/L～5mL/L濃硫酸再試。
2.2 若銅含量正常，生產(chǎn)中陽極面積足夠(SA：SK≥2：1)，卻出現(xiàn)電壓升高，電流減小現(xiàn)象，先檢查陽極板導(dǎo)電是否良好(清洗接觸處)，若仍有此現(xiàn)象，則陽極已鈍化，可能硫酸過少，補加8mL/L～10mL/L濃硫酸。
2.3 若加足光亮劑，高中DK區(qū)光亮性仍不足，低DK區(qū)光亮范圍窄，而試驗時電壓又低于正常值0.5V以上，則可能硫酸過多(正常生產(chǎn)時因帶出損耗，硫酸應(yīng)呈減少趨勢。硫酸過多，或是鍍前采用硫酸活化時清洗不良帶人或不慎一次加入過多)，應(yīng)試驗稀釋鍍液，補加硫酸銅及光亮劑。
3 氯離子判定及處理
3.1 若鍍層亮度很差，補加混合光亮劑或分別補加光亮劑組分試驗，均改善不大，高DK區(qū)鍍層有發(fā)花現(xiàn)象，磷銅陽極上不易生成黑膜，則可能氯離子含量低于20mg/L(正常為40mg/L～80mg/L)，可按0.08mL/L～0.1mL/L量加入鹽酸(沖稀20倍便于計算)后再試。若補加后光亮整平性明顯提高，則可確認CL-過少，再仔細試驗*加入量。
3.2 若高中DK區(qū)光亮整平性良好，低DK區(qū)很差，硫酸含量又正常，調(diào)整光亮劑及加人PN0.02mL/L～0.04ml/L 或AESS 0.04m～0.08mL/L效果均不明顯，則可能CL-過多，此時應(yīng)作除氯，再試。
3.3 懷疑CL-過多時，實踐證明用氰化亞銅除氯效果比較好。
    方法為：按0.1g/L～0.2g/L量稱取氰化亞銅，認真研成細粉狀，用少量水調(diào)成糊狀，在不斷強烈攪拌下慢慢加入鍍液，攪拌、靜置、過濾(理論上去除1g CL-需2.5g氰化亞銅)。若除CL-后低DK區(qū)光亮性明顯提高，則可確診為Cr過多。若氰化亞銅加入過量，則CL-會過少，整個試片亮度均差。
    生產(chǎn)中難以定量時，寧可加入稍過量的氰化亞銅，將CL-幾乎全部除去，再按0.1mL/L量加入濃鹽酸，重新提供所需CL-。
    用氰化亞銅除氯比用硫酸銀省得多，比用鋅粉效果好得多。用氰化亞銅除CL-后應(yīng)認真過濾鍍液。
4 光亮劑調(diào)整
4.1 試驗加入光亮劑后，光亮整平性提高，半光亮與全光亮區(qū)無明顯分界，則光亮劑過少，根據(jù)實驗結(jié)果補加光亮劑。
4.2 若高中DK區(qū)光亮整平性異常好，而光亮與半光亮區(qū)可見明顯分界，則光亮劑過多。此時若加入約0.04mL/L AESS或PN類低區(qū)走位劑，則無明顯分界，可補充這類組分；但若加入后鍍層發(fā)霧，則不能加入，可按0.1mL/L～0.2mL/L量將雙氧水沖稀l0倍以上在不斷攪拌下慢慢加入，破壞部分光亮劑。注意雙氧水不宜一次加入過多，否則殘存物有害。
4.3 光亮范圍窄
    染料型光亮劑光亮范圍較寬，但溫度范圍較窄，因染料“鹽析"或分解易造成鍍層麻砂，筆者寧可采用非染料型，加以及時精細調(diào)整，也可有較寬的光亮范圍。
    (1)若高中DK區(qū)光亮整平性正常，低DK區(qū)亮度不足，補加光亮劑及低區(qū)走位類組分后仍改善不大，則可確定為光亮劑質(zhì)量不良或CL-含量不正常；
    (2)懷疑CL-過多時，按2.3.3方法試驗；
    (3)調(diào)整CL-含量效果不明顯，則為光亮劑問題，此時：
    a)若低DK區(qū)鍍層側(cè)看泛紅，可試加M或N，看有無改善(液溫高時，M消耗較快)；
    b)加入約0.04ml/L PN、AESS，看有無改善。
    (4)加入M、N、AESS、PN均無明顯改善，則試驗是否硫酸過多，硫酸銅過少。
5 有機雜質(zhì)判定及處理
    光亮劑分解產(chǎn)物積累過多后，應(yīng)予處理。
5.1 若試片表面有一層發(fā)灰的疏松膜層，用手可擦去，擦除后鍍層仍光亮，則有機雜質(zhì)過多。
5.2 處理有機雜質(zhì)可按下述辦法進行：
    (1)按8mL/L～10mL/L量加入雙氧水(不可用高錳酸鉀，因引入Mn2 有害)，認真攪拌半小時以上；
    (2)加溫到60℃左右，保溫4h以上。保溫期間每隔20min攪拌3min一5min，以充分氧化有機雜質(zhì)及去除殘存雙氧水；
    (3)加入5g/L～8g/L化學(xué)純活性碳(不可用工業(yè)級，否則會引入過多CL-)，攪拌20min以上。靜置后認真過濾；
    (4)冷卻至室溫后用哈氏槽試驗，確認鍍層已成暗銅后，按新配量加入開缸劑，補加少量硫酸后再試。若因加入活性碳后CL-過量，應(yīng)進行除氯處理。
6 MN型光亮劑的改進
6.1 書本上經(jīng)典MN型酸銅配方中，光亮劑組分含量范圍太寬，其*組合應(yīng)該根據(jù)所購材料性質(zhì)，通過哈氏槽試驗確定出*比例。聚乙二醇含量提高至1.5倍～2.5倍。P原用分子量6000的，現(xiàn)主張用8000—12000的，夏天P含量應(yīng)比冬天高，否則整平性差，甚至鍍層起麻點。
6.2 近年不少人認為，采用BSP(苯基聚二硫二丙烷磺酸鈉)代替SP，效果好得多；加入部分TPS(*基甲酰胺磺酸鈉)，光亮劑組分變化會慢些，有利于減少故障，但鍍層鈍化更快。
6.3 加人PN(聚乙烯亞胺烷基鹽)既有低區(qū)走位作用，又能提高鍍液允許液溫(有人稱PN為“高溫載體")。加入AESS或GISS之類低區(qū)走位劑有利于擴展低DK區(qū)光亮范圍。
    但PN、AESS之類均不能加人過量，否則鍍層會產(chǎn)生灰霧。GISS有可能降低鍍層整平性。
6.4 用H1(四氫噻唑硫酮)代替M、N，組成簡單，但H1的溫度特性差，必須同時加人PN、AESS之類才行。
    熟悉了哈氏槽試驗，可用它改進光亮劑組分及配比，再結(jié)合生產(chǎn)實踐考核，可對光亮劑不斷加以改進、提高。