化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)具有強(qiáng)防腐蝕的功能,在保護(hù)操作人員人身安全的情況下,還能夠很好的滿足腐蝕拋光溶劑,如溴甲醇,過氧化氫或酸腐蝕劑等,同樣也適用于腐蝕性較弱的化學(xué)拋光,如半導(dǎo)體晶片的背面拋光。CPI系列純化學(xué)拋光設(shè)備可以與GNAD系列研磨拋光設(shè)備配合使用,可以實(shí)現(xiàn)電子器件對(duì)于晶片表面平整度、平行度及厚度非常苛刻的控制要求,并能*達(dá)到這些控制標(biāo)準(zhǔn)。
化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)的原理:
設(shè)備由主驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),防腐蝕填料系統(tǒng),廢料疏導(dǎo)系統(tǒng)和遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)組成,拋光盤更換方便,并且容易清洗。主驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)配有齒輪驅(qū)動(dòng)裝置,樣品在行星齒輪內(nèi)繞著中心齒輪同步轉(zhuǎn)動(dòng),保證了樣品表面平整度和平行度。
應(yīng)用:
1、用于紅外探測(cè)和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦,碲鎘汞等材料在封裝及外延生長(zhǎng)前的末級(jí)化學(xué)腐蝕拋光。
2、用于薄脆的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵,磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物等。
3、用于所有需要電子/光學(xué)級(jí)拋光的高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用,如硫化鎘及類似的光電材料。
化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)主要特點(diǎn):
1、原位摩擦:該儀器通過測(cè)量原位摩擦和磨損程度來(lái)研究基本的拋光技術(shù),而磨擦的變化則可用來(lái)描述移除率的近似值。
2、原位墊片磨損:原位磨損率則可用來(lái)反應(yīng)在拋光,調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。
3、狀態(tài):原位和非原位調(diào)節(jié)
4、晶片尺寸:易于替換的晶片夾具可在同一測(cè)試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至4英寸。
5、泵:獨(dú)立的可編程泵可提供泥漿,水以及其他的化工產(chǎn)品。
6、技術(shù):化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是用來(lái)對(duì)正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過程,而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對(duì)晶片進(jìn)行的拋光,通過給儲(chǔ)存在拋光片里樣本的底座一個(gè)加載力而完成的,當(dāng)包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過底部時(shí),拋光墊和樣本開始計(jì)數(shù)旋轉(zhuǎn)。