數(shù)字式四探針測試儀 薄層電阻測定儀 

型號(hào)：SN/RTS-4

產(chǎn)品簡介：

北京單晶硅物理測試儀運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果。

北京單晶硅物理測試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

四探針軟件測試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地進(jìn)行各項(xiàng)測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析

技術(shù)參數(shù)：

測量范圍：電阻率：0.0001～2000ω.cm(可擴(kuò)展)；
 方塊電阻：0.001～20000ω/□(可擴(kuò)展)； 
 電導(dǎo)率：0.0005～10000 s/cm； 
 電阻：0.0001～2000ω.cm； 

可測晶片直徑：140mmx150mm(配s-2a型測試臺(tái))；
 200mmx200mm(配s-2b型測試臺(tái))；
 400mmx500mm(配s-2c型測試臺(tái))；

恒流源：電流量程分為0.1ma、1ma、10ma、100ma四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表：量程及表示形式：000.00～199.99mv；

 分辨力：10μv；
 輸入阻抗：>1000mω；
 精度：±0.1% ；
 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)：間距：1±0.01mm；
 針間絕緣電阻：≥1000mω； 
 機(jī)械游移率：≤0.3%；
 探針：碳化鎢或高速鋼ф0.5mm；
 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

 應(yīng)用參數(shù)：(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差（按jjg508-87進(jìn)行）：0.1ω、1ω、10ω、100ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測量 大相對誤差：(用硅標(biāo)樣片：0.01-180ω.cm測試)≤±5%

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度：≤5%

測試模式：可連接電腦測試也可不連接電腦測試

軟件功能（選配）：軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測試數(shù)據(jù) 大值、 小值、平均值、 大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到excel中，對數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測試。

計(jì)算機(jī)通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5秒

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境：溫度：23±2℃；相對濕度：≤65%；無高頻干擾；無強(qiáng)光直射。