Optodiode的近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器 返回列表頁(yè)

Optodiode的近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器

Opto Diode近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器，高靈敏度，小尺寸

Opto Diode的NXIR系列近紅外增強(qiáng)型光電二極管的設(shè)計(jì)是為了在630納米至1100納米的光譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)優(yōu)良性能。對(duì)于集成光子系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，減少占地面積的芯片產(chǎn)品是激光二極管背面監(jiān)測(cè)的選擇。NXIR系列的最新產(chǎn)品具有堅(jiān)固的表面貼裝器件（SMD）技術(shù)，適用于高溫操作、雨水和陽(yáng)光感應(yīng)應(yīng)用。

NXIR-RF36光電二極管的特點(diǎn)

NXIR-RF36光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管，光敏有效區(qū)域是0.6mmx0.6mm。NXIR-RF36光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C，NXIR-RF36光電二極管符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)，是大批量激光監(jiān)測(cè)應(yīng)用的理想選擇。

NXIR-RF36光電二極管存儲(chǔ)和工作溫度范圍-40°C至110°C，最高結(jié)點(diǎn)溫度110°C。NXIR-RF36光電二極管有效面積的典型值為0.36mm2,在850nm的波長(zhǎng)下，靈敏度是0.65A/W，在Vr=3V時(shí)，暗電流的典型值是0.05nA,最大值是0.3nA。在VR=10mV時(shí)，分流電阻最小值是200MΩ，典型值是1000MΩ。在IR=10µA時(shí)反向擊穿電壓為25V，在VR=0V的測(cè)試條件上，電容的最大值為8pF。VR=10V時(shí)上升時(shí)間典型值為8納秒，最大值為15納秒。

NXIR-RF100光電二極管的特點(diǎn)

NXIR-RF100光電二極管是Optodiode近紅外增強(qiáng)型光電探測(cè)器，光敏有效區(qū)域是1mmx1mm。NXIR-RF100光電二極管有高靈敏度，?=850nm靈敏度是0.62A/W，?=1064nm靈敏度是0.35A/W。NXIR-RF100光電二極管工作溫度是-40°C至+125°C。NXIR-RF100光電二極管符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)，是激光監(jiān)測(cè)應(yīng)用的理想選擇。

存儲(chǔ)和工作溫度范圍-40°C~125°C，最高結(jié)點(diǎn)溫度是125°C。NXIR-RF100光電二極管有效面積的典型值為1mm2,在850nm的波長(zhǎng)下，靈敏度是0.62A/W，在1064nm下，響應(yīng)速度是0.35A/W。光譜響應(yīng)范圍λ為320nm~1100nm。在Vr=3V時(shí)，暗電流的典型值是0.1nA,最大值是0.75nA。在VR=10mV時(shí)，分流電阻最小值是200MΩ，典型值是500MΩ。在IR=10µA時(shí)反向擊穿電壓為50V，在VR=0V的測(cè)試條件上，電容的最大值為3pF。VR=5V時(shí)上升時(shí)間典型值為50納秒。

NXIR-RF74光電二極管的特點(diǎn)

NXIR-RF74光電二極管是近紅外小尺寸光電二極管，光敏有效區(qū)域是0.86mmx0.86mm。NXIR-RF74光電二極管有高靈敏度，?=850nm靈敏度是0.65A/W。NXIR-RF74光電二極管工作溫度是-40°C至+110°C。NXIR-RF74光電二極管符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)，是大批量激光監(jiān)測(cè)應(yīng)用的理想選擇。

NXIR-RF74光電二極管有效面積的典型值為0.74mm2，當(dāng)波長(zhǎng)為850nm時(shí)，靈敏度是0.65A/W。在Vr=3V時(shí)，暗電流的典型值是0.1nA,最大值是0.75nA。在VR=10mV測(cè)試條件下，分流電阻的最小值是200MΩ，典型值是800 MΩ。IR=10µA，反向擊穿電壓最小值為25V，在VR=0V的測(cè)試條件上，電容的最大值為8pF。VR=10V時(shí)上升時(shí)間典型值為8納秒，最大值為15納秒。

Optodiode近紅外和紅光增強(qiáng)光電二極管是高靈敏度光電二極管，在400nm-1100nm時(shí)靈敏度是0.35A/W-0.65A/W。Opto Diode近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器有效面積最大是1mm2，是小尺寸光電二極管。Optodiode近紅外增強(qiáng)型光電探測(cè)器符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)，是大批量激光監(jiān)測(cè)應(yīng)用的理想選擇。近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器工作溫度范圍寬，可以在-40°C~125°C左右工作。

Optodiode的近紅外和紅光增強(qiáng)光電探測(cè)器