熱電冷卻InGaAs探測(cè)器 波長(zhǎng)950-1650nm 返回列表頁(yè)

950-1650nm，2000個(gè)光子的靈敏動(dòng)態(tài)，配備熱電冷卻器的NIR InGaAs光子探測(cè)器

Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測(cè)器是一款近紅外離散放大光子探測(cè)器，波長(zhǎng)覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測(cè)器DAPD TO8專(zhuān)為寬帶模擬檢測(cè)低光信號(hào)而設(shè)計(jì)，近紅外銦鎵砷探測(cè)器對(duì)NIR模擬檢測(cè)器而言具有的信號(hào)脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測(cè)器的靈敏度涵蓋了從單個(gè)光子到每脈沖約2000個(gè)光子的寬動(dòng)態(tài)范圍，并且其輸出信號(hào)與檢測(cè)到的光子數(shù)成正比。熱電冷卻InGaAs探測(cè)器 波長(zhǎng)950-1650nm

Amplification近紅外光子探測(cè)器采用了離散放大（DA）方法，該方法由Amplification Technologies公司開(kāi)發(fā)并獲得利。Amplification近紅外離散放大光子探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的內(nèi)部放大，具有高增益（＞10⁵）、快速響應(yīng)（＜0.4ns上升時(shí)間）和極低的過(guò)噪聲因子（＜1.05）。該近紅外銦鎵砷光子探測(cè)器采用TO-8封裝，并配備三階段熱電冷卻器。與DEM2系列評(píng)估模塊結(jié)合使用時(shí)，當(dāng)環(huán)境溫度為25°C時(shí)，NIRDAPD TEC可以冷卻到-50°C。

Amplification近紅外TEC探測(cè)器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇：80µm和200µm。

Amplification近紅外探測(cè)器的主要特點(diǎn)：

-近紅外光譜響應(yīng)從950到1650 nm

-快速響應(yīng)：上升時(shí)間< 0.4ns

-高增益：在最大PDE下，G=~100k

  -低噪聲因子：F<1.05

  - TEC冷卻到-50oC

  這表明熱電冷卻InGaAs探測(cè)器可以通過(guò)熱電制冷（TEC）技術(shù)冷卻到極低的溫度。在低溫下，Amplification近紅外離散放大光子探測(cè)器的性能可能會(huì)得到提高，因?yàn)闊嵩肼晻?huì)減少。Amplification近紅外探測(cè)器DAPD TO8的輸出信號(hào)相對(duì)于噪聲是非常干凈的，可以提高檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

Amplification近紅外銦鎵砷探測(cè)器的主要應(yīng)用：

       -激光雷達(dá)3D成像

       -激光雷達(dá)和環(huán)境監(jiān)測(cè)

       -光譜學(xué)和儀器

       -量子通信

NIRDAPD TEC近紅外探測(cè)器的規(guī)格：（工作溫度為 -50°C 時(shí)）          

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