在真空環(huán)境下，探針臺有兩種應(yīng)用：
1.       超低溫情況下：
由于晶圓在超低溫情況下進(jìn)行探測，水氣將會出現(xiàn)并且將會凍結(jié)晶圓。水氣將會影響測量，導(dǎo)致測量失敗。真空倉中的水氣將通過真空泵排出，真空泵必須具備長時間測量的要求。
 
2.       高溫情況下：
當(dāng)晶圓加熱超過300攝氏度， 400攝氏度， 500攝氏度或者更高溫度時，會發(fā)生很強(qiáng)烈的氧化。溫度越高，越加大硅片表面的氧化，氧化將使晶圓降低電學(xué)性，物理性和機(jī)械性。真空倉中的氧氣通過真空泵來排出。真空泵必須能夠保持長時間的測量要求。
由于卡盤將被熱量所控制，應(yīng)用于超低溫和高溫的環(huán)境，在晶圓上探針由于晶圓的收縮和膨脹，將需要一定的改變位置。因此，一些探針將需要通過真空倉之外的探針座的三軸控制旋鈕重新定位。外部的機(jī)動探針座可通過拉桿控制系統(tǒng)輕松地重新定位真空倉中的探針。

詳細(xì)說明：
   卡盤直徑40mm
   溫度的精度為0.1度
   液氮瓶50升
   探針座X-Y-Z三軸移動范圍：25mmx25mmx25mm，精度10微米
   顯微鏡X-Y軸移動范圍：1英寸x1英寸
  連續(xù)變焦：0.8X—­5X 
  目鏡：20X
  總放大倍數(shù)：16X—100X
 150W燈源箱
  雙分支鵝頸管燈源
規(guī)格：
   尺寸：1300mm長x1100mm寬x1500mm高
   重量：300Kg
 
配置：
   電源：220V、60Hz、1500W
   液氮：50升
   氮氣罐
 
操作說明：
1.    溫度控制單元：
當(dāng)需要溫度達(dá)到室溫以下時，卡盤需要通過液氮來降溫以達(dá)到溫度低于事先設(shè)置的溫度。比例積分微（PID）分控制器可以準(zhǔn)確的控制溫度來加熱卡盤中的熱敏器件。
 
2.    液氮單元
氮氣是必須*的，通過氮氣加壓真空瓶來推動液氮的流出，液氮的容量可以通過氮氣的壓強(qiáng)、液氮的進(jìn)氣閥和出氣閥來控制。
 
3.    真空倉單元
真空倉可通過真空泵產(chǎn)生10^-3 托的壓強(qiáng)提供給超低溫的應(yīng)用；
BNC母接頭用來連接探測設(shè)備的信號裝置；
真空泵可提供排氣過濾作用，以避免污染客戶的環(huán)境；
 
4.    探針座單元
所有探針座都在真空倉外設(shè)置，這將幫助工程師在真空組織下進(jìn)行探測時不用排出真空倉內(nèi)的氣體。特別是，當(dāng)溫度降低的時候，晶圓開始收縮，探針已經(jīng)離開需要探測的測試樣品，工程師需要重新設(shè)置探針，將探針扎到測試樣品上。
 
5.    顯微鏡單元：
顯微鏡可以通過橋梁結(jié)構(gòu)移動到旁邊，以方便打開真空倉的蓋子。顯微鏡可以通過真空倉上面得窗口觀察，
燈光可以通過階梯式旋鈕控制亮度，雙分支鵝頸式光纖引導(dǎo)源可以用于定位及分離目標(biāo)。