ZTD-800B單晶硅爐

ZTD-900B單晶硅爐

ZTD-950B單晶硅爐

技術(shù)參數(shù)：

設(shè)備用途：

ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用的單晶爐，坩堝尺寸18-22英寸，產(chǎn)量從60-130Kg，單晶硅棒直徑6.5-8英寸，設(shè)備高度為6.1-6.7米，主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。

本公司可提供生長(zhǎng)工藝，保證生長(zhǎng)出合格的單晶硅。設(shè)有樣機(jī)，歡迎來(lái)人參觀考察。

ZR-12-10實(shí)驗(yàn)用中溫真空爐

詳細(xì)描述：

采用箱式爐結(jié)構(gòu)爐柜一體化設(shè)計(jì)，適用高?？蒲袉挝贿M(jìn)行材料的真空或保護(hù)氣氛下的熱處理，爐內(nèi)設(shè)有一耐熱鋼爐罐，罐內(nèi)安裝有料臺(tái)及保溫層。

主要參數(shù)如下：

1.額定功率：12kw

2.爐罐內(nèi)尺寸：160*250*400mm

3.高溫度：1000度

4.極限真空度：＜10Pa

ZR-12-11真空電阻加熱爐

設(shè)備用途：

本設(shè)備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱元件的實(shí)驗(yàn)用內(nèi)熱式真空熱處理爐，爐體與控制柜一體化結(jié)構(gòu)，臥式爐體，側(cè)面打開(kāi)爐門(mén)，適用于金屬材料在高真空、中溫條件下進(jìn)行回火、退火、釬焊、燒結(jié)、除氣處理，同時(shí)也適于金屬化合物的真空熱處理用。

設(shè)備特點(diǎn)：

整個(gè)設(shè)備為方形箱體結(jié)構(gòu)，臥式爐體，裝取料方便；所有動(dòng)作操作均在爐體正面操作完成，操作方便，集控制柜與爐體一體化結(jié)構(gòu)，占地小，節(jié)約占地面積；耗水量少，使用方便，用戶(hù)只要水、電齊全就可以直接使用，集成安裝水、電、氣接口。

主要技術(shù)參數(shù)：

1、額定功率：12KW

2、額定使用溫度：1100℃（氣氛保護(hù)下）

3、大有效加熱空間：Φ120×200㎜

4、冷態(tài)極限真空度：5×10-4 Pa

5、壓升率：≤2.0 Pa/h

6、電源：380V/50Hz

7、充氣介質(zhì)：氬氣、氮?dú)饣蛏倭繗錃?/span>

8、大充氣壓力：＜0.03MPa

9、控溫精度：±1℃

ZT-50-16晶體退火爐

用途：

真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)熱元件的立式實(shí)驗(yàn)用真空電阻爐，爐底裝料電動(dòng)升降，供金屬化合物、陶瓷、無(wú)機(jī)化合物、納米材料等在真空或保護(hù)氣氛中燒結(jié)制品。

技術(shù)參數(shù)：

1、型式：立式，底盤(pán)下沉

2、額定功率：50±10%Kw

3、電源電壓：三相  380V  50Hz

4、高溫度：1600℃

5、工作區(qū)尺寸：Φ300×300

6、升溫速率：15℃/min

7、恒溫區(qū)溫度均勻性：≤±10℃（1400℃）

8、冷態(tài)極限真空度：6.67×10-3Pa

9、工作真空度（空爐）：5×10-2Pa

10、壓升率：≤2Pa/h

11、1路充氣管路，充氣冷卻

12、充氣壓力：＜0.03MPa（相對(duì)壓力）